[發(fā)明專利]用于同時檢驗具有不同間距的多個陣列區(qū)域的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080028830.5 | 申請日: | 2010-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN102803939A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | H·陳;J·Z·林 | 申請(專利權(quán))人: | 克拉-坦科股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/956 | 分類號: | G01N21/956;G03F1/84 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 張欣 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 同時 檢驗 具有 不同 間距 陣列 區(qū)域 方法 裝置 | ||
發(fā)明人:
Hong?Chen和Jason?Z.Lin
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求在2009年6月19日提交的美國臨時專利申請系列號為61/218,913的優(yōu)先權(quán),該申請通過引用整體結(jié)合于此。
背景
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及晶片和分劃板檢驗裝置以及使用其的方法。
背景技術(shù)
自動檢驗(inspection)與復(fù)查(review)系統(tǒng)在半導(dǎo)體和相關(guān)微電子行業(yè)的過程控制和產(chǎn)量管理是重要的。這樣的系統(tǒng)包括基于光學(xué)和電子束(e-beam)的系統(tǒng)。
在半導(dǎo)體器件的制造中,在研發(fā)和制造過程早期的缺陷檢測對于縮短產(chǎn)品研發(fā)周期與增加產(chǎn)量變得越來越重要。正在使用先進的晶片和分劃板檢驗系統(tǒng)來檢測、復(fù)查并分類缺陷并將根本原因反饋回制造過程以防止這些缺陷繼續(xù)發(fā)展。相關(guān)缺陷的尺寸與正應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的制造的設(shè)計規(guī)則是直接成比例的。隨著正應(yīng)用的設(shè)計規(guī)則持續(xù)縮減,檢驗系統(tǒng)的性能要求在圖像分辨率和速度(每小時所處理的缺陷)這兩方面都有所增加。
發(fā)明內(nèi)容
一個實施例涉及使用成像裝置同時自動地檢驗多個陣列區(qū)域的方法。所述方法包括選擇最優(yōu)像素尺寸,以使多個陣列區(qū)域中的每一個陣列區(qū)域具有尺寸上是整數(shù)個像素的被編組單元;并調(diào)整成像裝置的像素尺寸為所選擇的最優(yōu)像素尺寸。當(dāng)單元尺寸用整數(shù)表達的時候,可通過尋找多個陣列區(qū)域的單元尺寸的最大公約數(shù)來確定可像素尺寸的可用范圍內(nèi)的最優(yōu)像素尺寸。可應(yīng)用預(yù)設(shè)準(zhǔn)則來確定最優(yōu)像素尺寸中的哪一個,如果有的話,是基于預(yù)設(shè)準(zhǔn)則可被接受的。如果沒有一個最優(yōu)像素尺寸是可被接受的,那么可將陣列區(qū)域之一標(biāo)記為數(shù)字內(nèi)插。
另一個實施例涉及用于檢測在所制造的襯底上的多個陣列區(qū)域中的缺陷的檢驗裝置。所述檢測裝置包括成像裝置和系統(tǒng)控制器。所述成像裝置被設(shè)置為照明所述襯底的區(qū)域并檢測來自該區(qū)域的圖像數(shù)據(jù),其中所述區(qū)域包括多個陣列區(qū)域的集合。所述系統(tǒng)控制器包括處理器、存儲器和在所述存儲器中的計算機可讀代碼。所述計算機可讀代碼被設(shè)置為選擇最優(yōu)像素尺寸,以使多個陣列區(qū)域中的每一個陣列區(qū)域具有在尺寸上是整數(shù)個像素的被編組單元;并調(diào)整成像裝置的像素尺寸為所選擇的最優(yōu)像素尺寸。
還公開了其他實施例、方面和特征。
附圖說明
圖1是示出在單視域中多個陣列區(qū)域的示例的圖。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例選擇用于同時檢驗多個陣列區(qū)域的像素尺寸的方法的流程圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例,可被用于自動地檢驗所制造的襯底的檢驗裝置的示意圖。
詳細(xì)描述
電子束(e-beam)和光學(xué)成像裝置被用于所制造的襯底(諸如用于平版印刷的半導(dǎo)體晶片和分劃板)的檢驗。這些襯底的某些被設(shè)計為包括一個或多個陣列區(qū)域,其中每一個陣列區(qū)域包括被設(shè)計為一樣的單元的陣列。
已經(jīng)使用了傳統(tǒng)成像裝置來有效地檢驗被同樣地設(shè)計的單元的單個陣列區(qū)域。然而,申請人已經(jīng)確定,當(dāng)將傳統(tǒng)成像裝置應(yīng)用于帶有具多個陣列單元尺寸的多個陣列區(qū)域的半導(dǎo)體的成像的時候,傳統(tǒng)成像裝置具有實質(zhì)性缺陷或限制。
本申請公開了用于同時檢驗具有不同陣列單元尺寸的改進的方法和裝置。
檢驗單個陣列區(qū)域
在來自加州米爾皮塔斯KLA-Tencor公司的檢驗工具中,目前用于檢驗由單一尺寸的同樣設(shè)計的單元組成的單個陣列區(qū)域的方法涉及用光學(xué)變焦調(diào)整常規(guī)像素尺寸,這樣單個單元中的像素數(shù)量(在每一維上)是整數(shù)。在單個單元中帶有整數(shù)個像素,在使用各種缺陷檢測算法(諸如自動閾值(AT)、分段的自動閾值(SAT)或多管芯自動閾值(MDAT))的缺陷檢測中可執(zhí)行單元對單元的比較來獲得最優(yōu)靈敏度。
同時檢驗具有不同單元尺寸的多個陣列區(qū)域
隨著晶片中的電路變得越來越密集且更高度地集成,在先進的晶片或分劃板的管芯中越來越普遍地出現(xiàn)了具有不同單元尺寸(即,不同間距)的多個陣列區(qū)域。因此,現(xiàn)有方法需要建立多個獨立的圖像掃描,每一個陣列區(qū)域?qū)?yīng)一個圖像掃描。每一次成像掃描需要為單個陣列區(qū)域用特定單元尺寸加以定制,以獲得每一個陣列區(qū)域中最最優(yōu)的靈敏度。由于需要多個圖像掃描來檢驗多個陣列區(qū)域,因此檢驗的吞吐量是被折衷的。
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





