[發(fā)明專利]展開層和用于制造分析元件-展開層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080028515.2
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN102803963A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H.哈蒂希;B.希勒;W.施韋貝爾;A.卡澤耶夫
• 申請（專利權(quán)）人: 霍夫曼－拉羅奇有限公司
• 主分類號: G01N33/52
• 分類號: G01N33/52;B01D71/68
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 梁冰;楊國治

1.?用于制造一種分析元件-展開層的方法，該分析元件-展開層用于在分析元件中容納一種待分析的液體，并且使得該液體均勻地分布在展開層的液體出口側(cè)面上，其中，所述方法包括下述步驟：

-?輸送具有上側(cè)面（15）、下側(cè)面（13）和在該下側(cè)面（13）與上側(cè)面（15）之間的原始厚度D的多孔隙的原始薄膜（2），其中，原始薄膜（2）的孔隙的尺寸在它的原始厚度D上至少局部地增加，

-?按照規(guī)定的距離，平行于它的上側(cè)面（15）如此地切割原始薄膜（2），即將原始薄膜的部分層分離，其中，

??—?展開層（16）是原始薄膜（2）的部分層，它的厚度d小于原始薄膜（2）的原始厚度D，

??—?展開層（16）的孔隙如此地彼此實現(xiàn)流體連接，即對于液體來說該展開層（16）是能夠被穿透的，

??—?通過將原始薄膜（2）的部分層（11）分離所形成的薄膜表面是展開層（16）的液體出口側(cè)面（12），

??—?展開層（16）的液體出口側(cè)面（12）上的孔隙的平均孔隙尺寸至少為1?μm。

2.?按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，只在原始薄膜（2）的下側(cè)面（13）上分離部分層（10），這樣，原始薄膜（2）的上側(cè)面（15）也形成展開層（16）的上側(cè)面（15），其中，與上側(cè)面（15）對置的側(cè)面就是展開層（16）的液體出口側(cè)面（12）。

3.?按照權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，將原始薄膜（2）固定在基片（6）上，并且與基片（6）一起作為材料幅帶（7）移動到切割裝置（1），借助于所述切割裝置來切割原始薄膜（2）。

4.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，切割裝置（1）包括偏轉(zhuǎn)裝置（4），通過所述偏轉(zhuǎn)裝置在生產(chǎn)過程中使得包含著原始薄膜（2）的材料幅帶（7）轉(zhuǎn)向，其中，在經(jīng)過所述偏轉(zhuǎn)裝置（4）時切割所述原始薄膜（2）。

5.?按照權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，原始薄膜（2）以它的上側(cè)面（15）移動經(jīng)過所述偏轉(zhuǎn)裝置（4）。

6.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，原始薄膜（2）在分離部分層（10）之前或者分離部分層（10）期間用液體進行潤濕，優(yōu)選地用水、水溶液或者已融化的能溶于水的蠟進行潤濕。

7.?按照前述權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，切割裝置（1）包括滾筒；并且用液體潤濕的原始薄膜（2）如此地凍結(jié)在滾筒的一段上，即在切割時所述薄膜（2）凍結(jié)在滾筒的這個段上，并且與滾筒一起運動。

8.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，原始薄膜（2）是一種強烈地非對稱的薄膜。

9.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，展開層（16）的液體出口側(cè)面（12）上的平均孔隙尺寸至少為2?μm，優(yōu)選地至少為3?μm，特別優(yōu)選地至少為5?μm，和/或最高為20?μm，優(yōu)選地最高為10?μm，特別優(yōu)選地最高為7?μm。

10.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，上側(cè)面（15）的平均孔隙尺寸至少為10?μm，優(yōu)選地至少為20?μm，特別優(yōu)選地至少為30?μm，和/或平均孔隙尺寸最高為60?μm，優(yōu)選地最高為50?μm，特別優(yōu)選地最高為40?μm。

11.?按照前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在展開層（16）的液體出口側(cè)面（12）上的自由孔隙表面至少為70%，優(yōu)選地至少為80%，特別優(yōu)選地至少為90%。