[發(fā)明專利]晶體管系存儲(chǔ)器單元及相關(guān)的操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080026627.4
• 申請(qǐng)日: 2010-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102473451A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙顯真
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): G11C11/412
• 分類號(hào): G11C11/412;H01L21/8244;H01L27/11
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種存儲(chǔ)器單元(200)包括：

第一晶體管(202)，具有對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)器單元(200)的字線(210)的第一柵極端(220)、對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)器單元(200)的第一位線(212)的第一源極/漏極端(222)、以及對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)器單元(200)的第一儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)(226)的第一漏極/源極端(224)；

第二晶體管(204)，具有對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)器單元(200)的該字線(210)的第二柵極端(230)、對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)器單元(200)的第二位線(214)的第二源極/漏極端(232)、以及對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)器單元(200)的第二儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)(236)的第二漏極/源極端(234)；

第三晶體管(206)，具有耦接至該第二儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)(236)的第三柵極端(240)、耦接至該第一儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)(226)的第三漏極端(242)、對(duì)應(yīng)于參考電壓的第三源極端(244)、以及直接連接至該第三柵極端(240)的第三主體端(246)；以及

第四晶體管(208)，具有耦接至該第一儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)(226)的第四柵極端(250)、耦接至該第二儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)(236)的第四漏極端(252)、對(duì)應(yīng)于該參考電壓的第四源極端(254)、以及直接連接至該第四柵極端(250)的第四主體端(256)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元(200)，其中：

該第一晶體管(202)為PMOS晶體管；

該第二晶體管(204)為PMOS晶體管；

該第三晶體管(206)為NMOS晶體管；以及

該第四晶體管(208)為NMOS晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元(200)，其中：

該第一晶體管(202)為用于該存儲(chǔ)器單元(200)的第一存取晶體管；

該第二晶體管(204)為用于該存儲(chǔ)器單元(200)的第二存取晶體管；

該第三晶體管(206)為用于該存儲(chǔ)器單元(200)的第一驅(qū)動(dòng)晶體管；以及

該第四晶體管(208)為用于該存儲(chǔ)器單元(200)的第二驅(qū)動(dòng)晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元(200)，其中，該參考電壓對(duì)應(yīng)于接地電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元(200)，其中，該第一晶體管(202)、該第二晶體管(204)、該第三晶體管(206)、和該第四晶體管(208)皆形成在絕緣體上覆硅襯底上。

6.一種操作無(wú)負(fù)載4T存儲(chǔ)器單元(200)于待機(jī)狀態(tài)的方法，該存儲(chǔ)器單元(200)包括二個(gè)PMOS存取晶體管(202、204)和二個(gè)交叉耦接的NMOS驅(qū)動(dòng)晶體管(206、208)，各NMOS驅(qū)動(dòng)晶體管(206、208)的柵極端(240、250)直接連接至其主體端(246、256)，以及各NMOS驅(qū)動(dòng)晶體管(206、208)的源極端(244、254)耦接至接地，該方法包括：

于該存儲(chǔ)器單元(200)的字線(210)確立引發(fā)漏電電壓，該字線(210)耦接至該P(yáng)MOS存取晶體管(202、204)的該柵極端(220、230)，其中該引發(fā)漏電電壓導(dǎo)致該P(yáng)MOS存取晶體管(202、204)產(chǎn)生漏電流；

于該存儲(chǔ)器單元(200)的第一位線(212)確立第一待機(jī)電壓，該第一位線(212)耦接至該二個(gè)PMOS存取晶體管(202)的其中一個(gè)的第一源極/漏極端(222)，該第一待機(jī)電壓高于該引發(fā)漏電電壓；以及

于該存儲(chǔ)器單元(200)的第二位線(214)確立第二待機(jī)電壓，該第二位線(214)耦接至該二個(gè)PMOS存取晶體管(204)的另一個(gè)的第二源極/漏極端(232)，該第二待機(jī)電壓高于該引發(fā)漏電電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，該引發(fā)漏電電壓是在0.0伏特與由該二個(gè)NMOS驅(qū)動(dòng)晶體管(206、208)所使用的供應(yīng)電壓之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，該引發(fā)漏電電壓是約該供應(yīng)電壓的一半。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中：

該第一待機(jī)電壓對(duì)應(yīng)于由該二個(gè)NMOS驅(qū)動(dòng)晶體管(206、208)所使用的供應(yīng)電壓；以及

該第二待機(jī)電壓對(duì)應(yīng)于該供應(yīng)電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，該第一待機(jī)電壓等于該第二待機(jī)電壓。