[發明專利]成膜方法、前處理裝置和處理系統

無效

• 申請號: 201080026564.2
• 申請日: 2010-06-16
• 公開（公告）號: CN102460653A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 松本賢治;伊藤仁;三好秀典;保坂重敏;佐藤浩;根石浩司;小池淳一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社;國立大學法人東北大學
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;C23C16/02;C23C16/20;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種成膜方法，對具有凹部的在表面形成有由low-k膜構成的絕緣層的被處理體形成含Mn的薄膜，該成膜方法的特征在于，包括：

親水化工序，在所述絕緣層的表面實施親水化處理，形成親水性表面；和

薄膜形成工序，通過在進行過所述親水化處理的所述絕緣層的表面使用含Mn原料實施成膜處理，形成含Mn的薄膜。

2.一種成膜方法，對具有凹部的在表面形成有由low-k膜構成的絕緣層的被處理體形成含Mn的薄膜，該成膜方法的特征在于，包括：

親水化工序，在所述絕緣層的表面實施親水化處理，形成親水性表面；和

薄膜形成工序，通過在進行過所述親水化處理的所述絕緣層的表面使用含Mn原料氣體實施成膜處理，形成含Mn的薄膜。

3.如權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

所述親水化處理是對所述絕緣層實施等離子體處理。

4.如權利要求3所述的成膜方法，其特征在于：

所述等離子體處理使用含氧氣體和/或稀有氣體。

5.如權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

所述親水化處理是使用紫外線和含氧氣體實施對所述絕緣層的表面進行改性的紫外線臭氧處理。

6.如權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

所述親水化處理是對所述絕緣層的表面實施照射氣體團簇離子束的GCIB處理。

7.如權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

所述親水化處理是對所述絕緣層的表面實施照射波長為425nm的可見光的可見光照射處理。

8.如權利要求1～7中任一項所述的成膜方法，其特征在于：

在所述薄膜形成工序前，進行退火工序，使得以高于所述薄膜形成工序中的作業溫度的溫度對所述絕緣層進行退火處理，除去所述絕緣層中的水分。

9.如權利要求1～8中任一項所述的成膜方法，其特征在于：

在所述薄膜形成工序前，進行附著工序，對所述絕緣層的表面實施使水和/或含氧氣體附著的附著處理。

10.如權利要求1～9中任一項所述的成膜方法，其特征在于：

所述low-k膜是具有相對介電常數小于4.1的介電常數的材料。

11.如權利要求1～10中任一項所述的成膜方法，其特征在于：

所述low-k膜由選自SiOC膜、SiO膜、SiOF膜、SiC膜、SiCOH膜、SiCN膜、多孔硅膜、多孔甲基倍半硅氧烷膜、聚乙炔膜、SiLK(注冊商標)膜和碳氟化合物膜中的1種以上的膜構成。