[發明專利]極限流速和/或高溫流體遞送基體有效
| 申請號: | 201080025900.1 | 申請日: | 2010-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN102804335A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發明(設計)人: | 基姆·恩格西·烏 | 申請(專利權)人: | 威斯塔德爾特有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 過曉東 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 極限 流速 高溫 流體 遞送 基體 | ||
1.一種流動基體,其中包括:
由一塊堅硬的第一材料形成的基體主體,該基體主體有第一表面和與第一表面對置的第二表面;
眾多對在基體主體的第一表面中定義的零部件導管端口;
眾多在每對相應的零部件導管端口之間延伸并且與相應的成對零部件導管端口的每個零部件導管端口流體連通的流動路徑,每條單獨的流動路徑都是在基體主體的第二表面中形成的;以及
至少一個由第二材料形成的蓋板,至少一個蓋板有構造適合密封眾多流動路徑之中的至少一條流動路徑的第一表面和與所述至少一個蓋板的第一表面對置的第二表面;
其中至少基體主體和所述至少一個蓋板之一包括至少在基體主體的第二表面和所述至少一個蓋板的第二表面之一上形成的焊接結構,該焊接結構的構造適合包圍那至少一條流動路徑而且有利于沿著該焊接結構將所述至少一個蓋板焊接到基體主體上。
2.根據權利要求1的流動基體,其中組成導管端口穿過基體主體延伸到基體主體的第二表面。
3.根據權利要求1的流動基體,其中第一材料和第二材料是相同合金類型的不銹鋼。
4.根據權利要求1的流動基體,其中基體主體包括在基體主體的第二表面形成的第一焊接結構,而且所述至少一個蓋板包括在所述至少一個蓋板的第二表面形成的第二焊接結構。
5.根據權利要求1的流動基體,其中所述至少一個蓋板包括焊接結構,該焊接結構包括在所述至少一個蓋板的第二表面中形成的凹槽。
6.根據權利要求5的流動基體,其中凹槽是借助化學蝕刻在所述至少一個蓋板的第二表面上形成的。
7.根據權利要求5的流動基體,其中該凹槽通過識別對基體主體來說所述至少一個蓋板的焊接位置和通過減少將所述至少一個蓋板焊接到基體主體上所需的功率使將所述至少一個蓋板焊接到基體主體上變得容易。
8.根據權利要求1的流動基體,其中所述至少一個蓋板包括眾多焊接結構,眾多焊接結構當中的每個焊接結構都包括在所述至少一個蓋板的第二表面上形成的相應的凹槽,眾多凹槽當中每個相應的凹槽包圍眾多流動路徑當中相應的流動路徑。
9.根據權利要求1的流動基體,其中所述至少一個蓋板包括眾多與眾多流動路徑之中每一條相對應的蓋板,眾多蓋板之中每個相應的蓋板包括在該相應的蓋板的第二表面上形成的相應的凹槽。
10.根據權利要求1的流動基體,其中基體主體包括在基體主體的第二表面上形成的焊接結構,該焊接結構包括圍住至少一條流動路徑的凹陷的壁面。
11.根據權利要求10的流動基體,其中焊接結構進一步包括圍住凹陷焊接壁面的應力消除凹槽。
12.根據權利要求10的流動基體,其中焊接結構進一步包括安排在所述至少一條流動路徑和凹陷焊接壁面之間圍住所述至少一條流動路徑的陷型唇。
13.根據權利要求12的流動基體,其中焊接結構進一步包括圍住凹陷焊接壁面的應力消除凹槽。
14.根據權利要求1的流動基體,其中流動基體形成用來輸送半導體處理流體、抽樣流體和石化流體之一的氣體棒的零部件。
15.根據權利要求1的流動基體,其中流動基體實質上形成所有的流體遞送嵌板。
16.根據權利要求1-15之中任何一項的流動基體,其中眾多流動路徑之中的第一流動路徑有不同于眾多流動路徑之中的第二流動路徑的橫截面積。
17.根據權利要求1-16之中任何一項的流動基體,其中眾多流動路徑是沿著第一方向在每對相應的零部件導管端口之間延伸的眾多第一流動路徑,而且該流動基體進一步包括至少一條在該基體主體的第一表面和第二表面之一上形成的沿著與第一方向橫交的第二方向延伸的流動路徑。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





