[發明專利]光電子器件

有效

• 申請號: 201080021372.2
• 申請日: 2010-07-06
• 公開（公告）號: CN102428581A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 盧茨·赫佩爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李德山;王萍

1.一種光電子器件，具有：半導體本體(1)，所述半導體本體具有外延層序列(2)，所述外延層序列帶有適于產生輻射的有源層(4)；和支承體襯底(6)，所述支承體襯底借助焊接連接部(7)與半導體本體(1)連接，其中

-支承體襯底(6)具有第一穿通部(8a)和第二穿通部(8b)，第一導電連接層(9a)和第二導電連接層(9b)穿過這些穿通部從支承體襯底(6)的朝向半導體本體(1)的第一主面(11)引向支承體襯底(6)的背離半導體本體(1)的第二主面(12)，

-支承體襯底(6)具有半導體材料，

-支承體襯底(6)具有側壁(10)，該側壁至少在第一部分區域(10a)中傾斜于支承體襯底(6)的主面(11，12)延伸，并且

-側壁(10)在第一部分區域(10a)中設有電絕緣層(13)。

2.根據權利要求1所述的光電子器件，其中第一部分區域(10a)鄰接支承體襯底(6)的第二主面(12)。

3.根據權利要求1或2所述的光電子器件，其中第一部分區域(10a)的高度在支承體襯底(6)的高度的10％和50％之間。

4.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中側壁(10)的第一部分區域(10a)具有在10μm和100μm之間的高度。

5.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中支承體襯底(6)是硅襯底。

6.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中電絕緣層(13)包含氧化硅或氮化硅。

7.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中在第一部分區域(10a)中的支承體襯底(6)的側壁(10)傾斜于支承體襯底(6)的主面(11，12)延伸，使得支承體襯底(6)的橫截面朝第二主面(12)逐漸變細。

8.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中在第一部分區域(10a)中，側壁(10)以相對于支承體襯底(6)的第二主面(12)的100°和135°之間的鈍角α延伸，其中包括邊界值。

9.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中側壁(10)具有鄰接支承體襯底(6)的第一主面(11)的第二部分區域(10b)，所述第二部分區域垂直于第一主面(11)地延伸。

10.根據權利要求9所述的光電子器件，其中側壁(10)的第二部分區域(10b)不設有絕緣層。

11.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中支承體襯底(6)在第一主面或第二主面(11，12)上在導電連接層(9a，9b)之間具有摻雜區(14)用于構建保護二極管。

12.根據權利要求11所述的光電子器件，其中支承體襯底(16)是未摻雜的，并且摻雜區(14)具有p摻雜區域(14a)和n摻雜區域(14b)，其中第一導電連接層(9a)與摻雜區(14)的p摻雜區域(14a)導電連接連接，并且第二導電連接層(9b)與摻雜區(14)的n摻雜區域(14b)導電連接。

13.根據上述權利要求12所述的光電子器件，其中外延層序列(2)具有p摻雜的半導體區域(3)和n摻雜的半導體區域(5)，其中第一導電連接層(9a)與n摻雜的半導體區域(5)導電連接，并且第二導電連接層(9b)與p摻雜的半導體區域(3)導電連接。

14.根據權利要求11至13之一所述的光電子器件，其中摻雜區(14)設置在支承體襯底(6)的第一主面(11)上。

15.一種用于制造根據上述權利要求之一所述的光電子器件的方法，包括如下步驟：

-制造由多個半導體本體(1)和作用為支承體襯底(6)的半導體晶片構成的復合物，

-在支承體襯底(6)中產生側壁(10)的第一部分區域(10a)，其中在第一部分區域中側壁傾斜于支承體襯底(6)的主面(11，12)延伸，

-將電絕緣層(13)在第一部分區域(10a)中施加到側壁(10)上，以及

-將半導體晶片分割成單個的光電子器件，其中在分割時形成側壁(10)的第二區域(10b)，所述第二區域未設有電絕緣層。