[發明專利]升降銷及包括所述升降銷的晶片處理裝置

無效

• 申請號: 201080020125.0
• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN102422410A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 崔明鎬;樸鎮成;樸鎮哲;張智淑
• 申請（專利權）人: 高美科株式會社
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/683
• 代理公司: 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242
• 代理人: 段迎春

技術領域

本發明涉及升降銷及包括所述升降銷的晶片處理裝置，尤其涉及向上提升半導體晶片的升降銷及包括所述升降銷的晶片處理裝置。

背景技術

一般地，這樣制造半導體存儲器件，即，經由用于在晶片上形成電路圖形的制造處理、用于檢查電路圖形之電特性并且探測電路圖形之缺陷的芯片電特性篩選(EDS)處理、以及用于從晶片切割成各個芯片并且將各個芯片封裝入單獨的半導體器件中的封裝處理。在封裝處理中，各芯片密封在環氧樹脂中，并且在密封芯片上安裝引線框。

上述現有的半導體制造處理中，可通過一系列的單元處理在晶片上形成電路圖形，諸如用于在晶片上形成薄層的淀積處理、用于在薄層上形成光刻膠圖形的圖形化處理、用于利用光刻膠圖形在薄層上蝕刻出蝕刻掩模的蝕刻處理、以及從經蝕刻薄層去除光刻膠圖形的去除處理。

由于可以相對較低的溫度在晶片上形成小厚度的薄層，并且淀積效率沒有顯著的降級，因此等離子體淀積處理得以采用。例如，最廣泛地使用等離子體增強化學氣相淀積(PECVD)處理在晶片上形成薄層。特別地，PECVD處理具有以相對較低的溫度和高淀積率來形成薄層的優點。

現有的PECVD裝置包括其中供給有供給氣體的處理室、設在處理室中并且其上放置晶片的基座、使得源氣體均勻地分散在晶片上的噴頭、通過其將高頻電供給至處理室內部以將源氣體轉換為等離子體的電極。

當完成淀積處理并且在晶片上形成薄層時，晶片與基座分離，并且被移出處理室。具體地，一般有多個升降銷從基座垂直地彈出，并且使得晶片提升超過基座。由此，晶片與基座相互分離。

然而，由于升降銷通常包括氧化鋁(Al2O3)和陽極鋁(Al)之類的硬度比Si晶片大得多的鋁(Al)基材料，因此升降銷經常損壞晶片的接觸面。例如，當將晶片移出處理室時，晶片的背面經常會有劃痕。

發明內容

技術問題

實施例提供了一種在處理裝置中使得晶片上升的升降銷，并且其使得硅晶片的背面上的刮擦損壞為最小。

其它實施例提供了使用上述升降銷的晶片處理裝置。

技術方案

根據本發明的實施例，提供了一種升降銷，其在對基座上的晶片進行處理的裝置中使得所述基底在所述基座上向上或向下移動。所述升降銷包括本體，其插入所述基座的穿孔，并且以垂直于所述基座的上表面的方向沿所述穿孔上下移動；及接觸部件，其緊固至所述本體的上部，并且包括硬度小于所述基底的硬度的軟材料，接觸部件與晶片形成接觸不會在晶片表面形成刮擦。

一實施例中，所述接觸部件包括氧化釔(Y2O3)。

一實施例中，所述本體的上部包括槽部，并且所述接觸部件這樣插入所述槽部，即，所述接觸部件的上部從所述本體的上部凸出。

一實施例中，所述升降銷還包括位于所述本體的槽部的內表面上的粘附部件，以使所述接觸部件粘附至所述本體的槽部的內表面。

一實施例中，所述接觸部件的中央底部包括儲氣槽，從而當所述接觸部件插入所述本體的槽部時，所述本體的槽部中剩下的殘余氣體保持在所述儲氣槽中。例如，所述接觸部件可以固定于所述本體的槽部中。

一實施例中，所述接觸部件的側壁設有第一螺紋，并且所述本體的槽部的內表面設有第二螺紋，從而所述接觸部件通過螺紋連接緊固入所述本體的槽部。

一實施例中，所述升降銷還包括夾在所述接觸部件和所述本體之間的相變層，從而所述接觸部件通過所述相變層的結合力緊固至所述本體。例如，所述接觸部件包括氧化釔(Y2O3)，所述本體包括氧化鋁(Al2O3)，并且所述相變層包括釔-鋁石榴石(YAG)。

一實施例中，所述本體的上部包括凸部，并且所述接觸部件包括所述凸部插入其中的槽。

具體地，所述凸部的側壁上設有第三螺紋，并且所述槽的內表面上設有第四螺紋，從而所述本體的凸部通過螺紋連接插入所述接觸部件的槽中。

這樣，所述升降銷還包括位于所述接觸部件的槽的內表面上的粘附部件。