[發(fā)明專利]升降銷及包括所述升降銷的晶片處理裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080020125.0
• 申請(qǐng)日: 2010-03-04
• 公開（公告）號(hào): CN102422410A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔明鎬;樸鎮(zhèn)成;樸鎮(zhèn)哲;張智淑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高美科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01L21/683
• 代理公司: 上海金盛協(xié)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31242
• 代理人: 段迎春

1.一種升降銷，其在對(duì)基座上的基底進(jìn)行處理的裝置中使得所述基底在所述基座上向上或向下移動(dòng)，所述升降銷包括：

本體，其插入所述基座的穿孔，并且以垂直于所述基座的上表面的方向沿所述穿孔上下移動(dòng)；及

接觸部件，其緊固至所述本體的上部，并且包括硬度小于所述基底的硬度的軟材料。

2.如權(quán)利要求1所述的升降銷，其中所述接觸部件包括氧化釔(Y2O3)。

3.如權(quán)利要求1所述的升降銷，其中所述本體的上部包括槽部，并且所述接觸部件這樣插入所述槽部，即，所述接觸部件的上部從所述本體的上部凸出。

4.如權(quán)利要求3所述的升降銷，還包括位于所述本體的槽部的內(nèi)表面上的粘附部件，以使所述接觸部件粘附至所述本體的槽部的內(nèi)表面。

5.如權(quán)利要求3所述的升降銷，其中所述接觸部件的中央底部包括儲(chǔ)氣槽，從而當(dāng)所述接觸部件插入所述本體的槽部時(shí)，所述本體的槽部中剩下的殘余氣體保持在所述儲(chǔ)氣槽中。

6.如權(quán)利要求3所述的升降銷，其中所述接觸部件的側(cè)壁設(shè)有第一螺紋，并且所述本體的槽部的內(nèi)表面設(shè)有第二螺紋，從而所述接觸部件通過螺紋連接緊固入所述本體的槽部。

7.如權(quán)利要求1所述的升降銷，還包括夾在所述接觸部件和所述本體之間的相變層，這樣，所述接觸部件通過所述相變層的結(jié)合力緊固至所述本體。

8.如權(quán)利要求7所述的升降銷，其中在所述接觸部件包括氧化釔(Y2O3)并且所述本體包括氧化鋁(Al2O3)的條件下，所述相變層包括釔-鋁石榴石(YAG)。

9.如權(quán)利要求1所述的升降銷，其中所述本體的上部包括凸部，并且所述接觸部件包括所述凸部插入其中的槽。

10.如權(quán)利要求9所述的升降銷，其中所述凸部的側(cè)壁上設(shè)有第三螺紋，并且所述槽的內(nèi)表面上設(shè)有第四螺紋，從而所述本體的凸部通過螺紋連接插入所述接觸部件的槽中。

11.如權(quán)利要求10所述的升降銷，還包括位于所述接觸部件的槽的內(nèi)表面上的粘附部件。

12.一種處理基底的裝置，包括：

處理室，其中供給有用于處理所述基底的反應(yīng)氣體，并且其提供用于執(zhí)行處理的空間；

設(shè)在所述處理室中并且具有穿孔的基座，所述基底位于所述基座上；

設(shè)在所述基座上方的電極，并且向所述電極施加電力，經(jīng)由所述電力而在所述處理室中將所述反應(yīng)氣體轉(zhuǎn)換為等離子體；及

可移動(dòng)地插入所述基座的穿孔中并且使得所述基底上升離開所述基座的升降銷，所述升降銷包括本體和接觸部件，所述本體插入所述穿孔中并且以垂直于所述基座上表面的方向沿所述穿孔上下移動(dòng)，所述接觸部件固定至所述本體的上部并且包括硬度小于所述基底硬度的軟材料。