[發明專利]低輻射玻璃及其制造方法有效
| 申請號： | 201080020074.1 | 申請日： | 2010-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN102421719A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | 田允淇;趙錦悉;裴一駿;黃承錫 | 申請（專利權）人： | 樂金華奧斯有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/23 | 分類號： | C03C17/23;C03C17/245 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;遲姍 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輻射 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一種低輻射玻璃，其特征在于，包括：
基材，
低輻射層，其形成于所述基材上，以及
電介質層，其形成于所述低輻射層上；
輻射率為0.01至0.3，可視光透過率為70％以上。
2.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，輻射率為0.01至0.2。
3.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，可視光透過率為80％以上。
4.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，面電阻為5至15Ω/cm2。
5.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，低輻射層包含選自由銀、銅、金、鋁及鉑構成的群中的一種以上。
6.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，低輻射層的厚度為5至35nm。
7.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，電介質層直接形成于低輻射層上。
8.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，電介質層包含選自由氧化鋅、氧化鋁、氧化鋯、二氧化硅、氧化錫、氧化鈦、氧化鉍、銦摻雜氧化錫、鎵摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鋅構成的群中的一種以上。
9.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，電介質層的厚度為10至100nm。
10.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，進一步包括電介質層，該電介質層形成于低輻射層的下表面。
11.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，進一步包括保護涂層，該保護涂層形成于電介質層上。
12.根據權利要求1所述的低輻射玻璃，其特征在于，進一步包括底涂層，該底涂層形成于基材和低輻射層之間。
13.一種低輻射玻璃的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
在真空條件下，利用金屬氧化物作為靶，來在低輻射層上直接蒸鍍電介質層。
14.根據權利要求13所述的低輻射玻璃的制造方法，其特征在于，蒸鍍是在工序壓力為1至10mTorr的真空下執行的。
15.根據權利要求13所述的低輻射玻璃的制造方法，其特征在于，蒸鍍是在氬氣環境下執行的。
16.根據權利要求15所述的低輻射玻璃的制造方法，其特征在于，氬氣的注入量為10至100sccm。
17.根據權利要求13所述的低輻射玻璃的制造方法，其特征在于，蒸鍍是利用等離子濺射方法來執行的。
18.根據權利要求17所述的低輻射玻璃的制造方法，其特征在于，蒸鍍是施加1至5W/cm2的輸入電力來形成等離子。
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