[發明專利]大面積半導體器件的電氣及光電子表征

有效

• 申請號: 201080018738.0
• 申請日: 2010-04-27
• 公開（公告）號: CN102439467A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 菲利普·戴爾;蘇珊娜·西奔特力特
• 申請（專利權）人: 盧森堡大學;TDK株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;H01G9/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 孫紀泉

1.一種用于測試在生產中的大面積半導體器件的電氣及/或光電表征方法，該方法包括下述步驟：

提供第一電極(1)并將其設置成與半導體器件(30)的導電層(32)的接觸區域(36)電接觸；

提供可移動的電極組件(5)，其包括保持電解質溶液(4)和至少第二電極(2)的容器(6)，將所述第二電極(2)浸沒到所述電解質溶液(4)中，

放置電極組件(5)使得電解質溶液(4)設置成讓第二電極(2)與半導體器件的上表面(35)電接觸；

在進行電氣測量的同時，相對于半導體器件(1)的上表面(35)掃描所述可移動的電極組件(5)。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括下述步驟：

提供光波導(7)，將所述光波導(7)浸沒到電解質溶液(4)中，將光波導(7)置于半導體器件的上表面附近。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括步驟：提供脈沖照射到光波導(7)。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述方法還包括：

提供第三電極(3)，將第三電極(3)浸沒到電解質溶液(4)中，用于放置第三電極與半導體器件的上表面電接觸。

5.根據權利要求2-4中任一項所述的方法，其中所述電氣測量包括光電測量。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中電解質溶液為銪溶液。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中相對于半導體器件的表面掃描所述可移動的電極組件(5)的步驟包括移動所述可移動電極組件(5)。

8.根據權利要求7所述的方法，其中相對于半導體器件的表面掃描所述可移動的電極組件(5)的步驟包括連同電極組件(5)一起移動第一電極(1)。

9.一種用于對生產中的半導體器件進行電氣及/或光電表征的裝置，包括：

第一電極(1)，所述第一電極適于被設置成與半導體器件的導電層的接觸區域電接觸；

可移動的電極組件(5)，所述可移動的電極組件包括保持電解質溶液(4)和至少第二電極(2)的容器(6)，所述第二電極(2)被浸沒到所述電解質溶液(4)中以便將第二電極(2)放置成與半導體器件的上表面電接觸；

掃描裝置(69，69’)，所述掃描裝置適于在進行電氣測量的同時，在半導體器件(1)的表面上移動所述可移動的電極組件(5)。

10.根據權利要求9所述的裝置，其中可移動的電極組件(5)還包括光學連接到光源的光波導(7)。

11.根據權利要求9或10所述的裝置，其中可移動的電極組件(5)還包括第三電極(3)，所述第三電極(3)被浸沒到電解質溶液(4)中，用于將第三電極放置成與半導體器件的上表面電接觸。

12.根據權利要求10或11所述的裝置，其中光波導(7)從光源接收脈沖照射。

13.根據權利要求9至12中任一項所述的裝置，其中電解質溶液(4)是銪溶液。

14.根據權利要求9至13中任一項所述的裝置，其中在掃描半導體器件的上表面時，第一電極(1)適于與電極組件(5)一起移動。

15.根據權利要求9至14中任一項所述的裝置，其中第一電極是機械劃針或跟在劃針之后的單獨的電極之一。