[發明專利]Cu配線的形成方法

無效

• 申請號: 201080018603.4
• 申請日: 2010-08-27
• 公開（公告）號: CN102414804A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 五味淳;水澤寧;波多野達夫;橫山敦;石坂忠大;安室千晃;加藤多佳良
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L23/52
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種Cu配線的形成方法，其實施伴隨500℃以上的溫度的處理的后續工序，所述Cu配線的形成方法的特征在于，包括：

在表面具有溝槽和/或孔的基板上的至少所述溝槽和/或孔的底面和側面形成密接膜，其中，該密接膜包括具有與Cu的晶格面間距的差為10％以內的晶格面間距的金屬；

在所述密接膜上以填埋所述溝槽和/或孔的方式形成Cu膜；

在所述Cu膜形成后的基板進行350℃以上的退火處理；

研磨所述Cu膜，僅殘留所述Cu膜的對應于所述溝槽和/或孔的部分；和

在研磨后的Cu膜形成蓋而成為Cu配線。

2.如權利要求1所述的Cu配線的形成方法，其特征在于：

構成所述密接膜的金屬具有與Cu的晶格面間距的差為5％以內的晶格面間距。

3.如權利要求2所述的Cu配線的形成方法，其特征在于：

所述密接膜是Ru膜，通過CVD形成。

4.如權利要求1所述的Cu配線的形成方法，其特征在于：

形成所述Cu膜時，在形成Cu晶種后鍍Cu。

5.如權利要求1所述的Cu配線的形成方法，其特征在于：

在形成所述蓋時，在Cu膜上形成包括具有與Cu的晶格面間距的差為10％以內的晶格面間距的金屬的密接膜，在其上形成由絕緣材料構成的蓋膜。

6.如權利要求1所述的Cu配線的形成方法，其特征在于：

在所述基板上的至少所述溝槽和/或孔的底面和側面形成密接膜之前，還形成障壁膜。