[發(fā)明專利]多層印刷電路板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080017828.8 | 申請(qǐng)日: | 2010-04-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102415226A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | C·斯巴林;T·懷爾斯曼;P·布魯克斯;A·克里克格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安美特德國(guó)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K3/38 | 分類號(hào): | H05K3/38 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 印刷 電路板 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種形成多層印刷電路板、集成電路(IC)基板、用于高頻施加的印刷電路板和柔軟基板的方法;可由其獲得的多層印刷電路板和集成電路基板,有機(jī)硅烷粘合混合物和使用包含至少一種無(wú)機(jī)硅酸鹽的組合物進(jìn)行的處理方法。多層印刷電路板(PCB)和集成電路基板典型地由如下方式構(gòu)成:插入成像導(dǎo)電層(例如含銅層)和介質(zhì)層(例如部分固化的半熔階段樹(shù)脂,即半固化片)構(gòu)成多層夾層體,然后通過(guò)施加熱和壓力將其粘合在一起。由于具有光滑銅表面的導(dǎo)電層不能良好地粘合于半固化片,因此已經(jīng)使用粗糙銅表面來(lái)獲得對(duì)電介質(zhì)更好的粘合。因此,部分多層PCB工業(yè)運(yùn)用機(jī)械或化學(xué)的粗糙化工藝來(lái)確保更好的粘合。然而,隨著電路圖形越來(lái)越精細(xì),在該表面處理期間物理?yè)p害導(dǎo)體跡線的風(fēng)險(xiǎn)隨之上升。另一個(gè)工業(yè)上用來(lái)改善導(dǎo)電層和電介質(zhì)之間粘合的方法是在鍍覆工業(yè)廣泛使用的各種確保良好界面粘結(jié)的銅表面氧化工藝。
在另一個(gè)替換的工藝中,使用有機(jī)硅烷來(lái)提升銅表面和半固化片之間的粘結(jié)。所述有機(jī)硅烷以薄層沉積在銅表面上,在層壓期間,有機(jī)硅烷分子粘合于環(huán)氧樹(shù)脂,即半固化片表面。為了提升所述有機(jī)硅烷與銅表面間的粘結(jié),使所述銅表面預(yù)先涂覆有與有機(jī)硅烷反應(yīng)的金屬,例如錫。在適當(dāng)施加時(shí),有機(jī)硅烷處理是很穩(wěn)定的,并且耐化學(xué)腐蝕和層離。該有機(jī)硅烷工藝的優(yōu)點(diǎn)是可以在聯(lián)機(jī)(inline)工藝系統(tǒng)中傳送帶化。
文獻(xiàn)EP?0?431?501?B1公開(kāi)了一種使用有機(jī)硅烷粘合混合物施加于氧化的錫表面來(lái)制造多層印刷電路板的方法。所述方法不能制造精細(xì)線路的集成電路基板。
專利申請(qǐng)EP?1?978?024?A1公開(kāi)了各種用于多層印刷電路板制造的有機(jī)硅烷和膠態(tài)氧化硅顆粒的混合物以及包含堿性硅酸鹽和膠態(tài)氧化硅的粘合混合物。
日本專利申請(qǐng)JP?2007-10780公開(kāi)了一種制造多層印刷電路板的方法,其中將有機(jī)硅烷粘合劑施加于例如鈀層上。
現(xiàn)有技術(shù)描述的這些工藝的主要缺點(diǎn)是有機(jī)硅烷層無(wú)法勝任某些環(huán)境以及無(wú)法用于制造特征尺寸≤20微米的集成電路基板和使用SAP工藝(半添加工藝)制造的集成電路基板。
發(fā)明概述
因此,本發(fā)明的目的是提供一種形成多層印刷電路板或集成電路基板,特別是通過(guò)SAP工藝制造的具有非常精細(xì)電路結(jié)構(gòu)的那些的方法,以及可通過(guò)上述方法獲得的電路板和集成電路基板。該方法包括如下步驟:
(a)在電介質(zhì)層支撐體表面上形成導(dǎo)電銅電路,該電路具有至少4微米厚度;
(b)通過(guò)向銅電路施加錫在銅電路上形成錫的氧化物、氫氧化物或其組合的層,其中在施加期間或施加之后,所施加的錫在其表面上轉(zhuǎn)化成氧化物、氫氧化物或其組合。優(yōu)選地,氧化物、氫氧化物或組合的層的厚度不大于40微米;
(c)向在步驟(b)中形成的氧化物、氫氧化物或其組合的表面或要粘合于銅電路的絕緣層施加包含至少一種無(wú)機(jī)硅酸鹽的混合物,該絕緣層包含部分固化的熱固性聚合物組合物;
(d)向在步驟(c)中形成的包含至少一種無(wú)機(jī)硅酸鹽的層施加有機(jī)硅烷粘合混合物;
(e)重復(fù)步驟(a)、(b)、(c)和(d);
(f)將通過(guò)步驟(a)、(b)、(c)、(d)和(e)形成的材料粘合成單個(gè)制品,其中有機(jī)硅烷涂層在至少一種無(wú)機(jī)硅酸鹽的層和絕緣層之間,其中在粘合期間部分固化的絕緣層被固化;和任選地
(g)形成穿過(guò)在步驟(f)中形成的粘合制品的多個(gè)孔;
(h)將這些通孔的壁進(jìn)行金屬化以從通孔相對(duì)開(kāi)口形成導(dǎo)電通路,從而形成多層電路板。
該方法的特征在于該有機(jī)硅烷粘合混合物包含:
(i)至少一種具有結(jié)構(gòu)式I的脲基硅烷
式I
其中A是具有1到8個(gè)碳原子的亞烷基,B是具有1到8個(gè)碳原子的羥基或烷氧基,n是整數(shù)1、2或3,條件是如果n是1或2,各個(gè)B不必是相同的;以及
(ii)至少一種交聯(lián)劑,選自具有結(jié)構(gòu)式I?I和結(jié)構(gòu)式III的化合物以及具有式II和式III的化合物的混合物
式II
其中R1、R2、R?3、R4、R5和R6彼此獨(dú)立地是具有1到8個(gè)碳原子的烷基,R表示具有1到8個(gè)碳原子的亞烷基,和
Si(OR7)4??式III
其中R7選自甲基、乙基和丙基,
而且其中,至少一種具有結(jié)構(gòu)式I的脲基硅烷和至少一種交聯(lián)劑的總濃度在1到50g/l之間。
發(fā)明詳述
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