[發(fā)明專利]多層印刷電路板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080017828.8 | 申請日: | 2010-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN102415226A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | C·斯巴林;T·懷爾斯曼;P·布魯克斯;A·克里克格 | 申請(專利權(quán))人: | 安美特德國有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/38 | 分類號: | H05K3/38 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 印刷 電路板 制造 方法 | ||
1.一種制造多層印刷電路板的方法,該多層印刷電路板包含穿過若干絕緣層到達(dá)一系列導(dǎo)電層的導(dǎo)電通孔,所述通孔構(gòu)成電連接體,該方法包括如下步驟:
(a)在電介質(zhì)層支撐體表面上形成導(dǎo)電銅電路,該電路具有至少4微米厚度;
(b)通過向銅電路上施加錫在銅電路上形成錫的氧化物、氫氧化物或其組合的層,其中在施加期間或施加之后,所施加的錫在其表面上轉(zhuǎn)化成氧化錫、氫氧化錫或其組合,條件是氧化錫、氫氧化錫或組合的層厚度不大于40微米;
(c)向在步驟(b)中形成的氧化物、氫氧化物或其組合的表面或要粘合于銅電路的絕緣層施加包含至少一種無機(jī)硅酸鹽的混合物,該絕緣層包含部分固化的熱固性聚合物組合物;
(d)向在步驟(c)中形成的氧化物、氫氧化物或其組合的表面施加有機(jī)硅烷粘合混合物;
(e)重復(fù)步驟(a)、(b)、(c)和(d)至少一次;
(f)將通過步驟(a)、(b)、(c)、(d)和(e)形成的材料粘合成單個(gè)制品,其中,有機(jī)硅烷涂層在氧化物、氫氧化物或組合層和絕緣層之間,其中,在粘合期間部分固化的絕緣層被固化;
該方法的特征在于該硅烷粘合混合物基本上由以下物質(zhì)組成:
(I)至少一種具有結(jié)構(gòu)式I的脲基硅烷
式I
其中A是具有1到8個(gè)碳原子的亞烷基,B是具有1到8個(gè)碳原子的羥基或烷氧基,n是整數(shù)1、2或3,條件是如果n是1或2,各個(gè)B不必是相同的;以及
(II)至少一種交聯(lián)劑,選自具有結(jié)構(gòu)式II和結(jié)構(gòu)式III的化合物以及具有結(jié)構(gòu)式II和結(jié)構(gòu)式III的化合物的混合物,
式II
其中R1、R2、R3、R4、R5和R6彼此獨(dú)立地是具有1到8個(gè)碳原子的烷基,R表示具有1到8個(gè)碳原子的亞烷基,
Si(OR7)4式III
其中R7選自甲基、乙基和丙基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中具有結(jié)構(gòu)式I的脲基硅烷和具有結(jié)構(gòu)式II和結(jié)構(gòu)式III的交聯(lián)劑的總濃度在1到50g/l之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中在步驟(c)中使用的至少一種無機(jī)硅酸鹽選自具有通式xM2O·SiO2·nH2O的組,其中x范圍為1到4,n范圍為0到9,M選自Na+、K+和NH4+。
4.根據(jù)上述任一權(quán)利要求的方法,其中在步驟(c)中使用的組合物進(jìn)一步包含至少一種水溶性的磷酸鹽化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法,其中至少一種水溶性的磷酸鹽化合物選自磷酸鈉、磷酸鉀、磷酸銨、磷酸氫二鈉、磷酸三鈉、磷酸氫二鉀、磷酸三鉀、磷酸氫二銨、磷酸三銨、三聚磷酸鈉、三聚磷酸鉀和三聚磷酸銨。
6.根據(jù)上述任一權(quán)利要求的方法,其中至少一種脲基硅烷和至少一種交聯(lián)劑的重量比范圍為10∶1到1∶1。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法,其中脲基硅烷是3-[三(乙氧基/甲氧基)甲硅烷基]丙基]脲。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中交聯(lián)劑是2-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷。
9.根據(jù)上述任一權(quán)利要求的方法,其中該方法在步驟(f)后進(jìn)一步包括如下步驟:
(g)形成穿過在步驟(f)中形成的粘合制品的多個(gè)孔;
(h)將這些通孔的壁進(jìn)行金屬化以從通孔相反開口形成導(dǎo)電通路,從而形成多層電路板。
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