[發明專利]包含抑制劑的無空隙亞微米結構填充用金屬電鍍組合物

有效

• 申請號: 201080015501.7
• 申請日: 2010-03-25
• 公開（公告）號: CN102365396A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: C·勒格爾-格普費特;R·B·雷特爾;C·埃姆內特;A·哈格;D·邁耶
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;C23C18/31;C23C18/32;H01L21/288;H05K3/18;H05K3/24;C25D3/58;C25D7/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉金輝;林柏楠

1.一種用于填充孔尺寸為30納米或更小的亞微米尺寸結構的組合物， 其包含銅離子源和至少一種選自式I化合物的抑制劑：

其中

-基團R¹各自獨立地選自氧化乙烯與至少一種其他C₃-C₄氧化烯的共聚物， 所述共聚物為無規共聚物，

-基團R²各自獨立地選自R¹或烷基，

-X和Y獨立地為間隔基，且對于每一重復單元X獨立地選自C₁-C₆亞烷基和 Z-(O-Z)_m，其中基團Z各自獨立地選自C₂-C₆亞烷基，

-n為等于或大于0的整數，

-m為等于或大于1的整數。

2.如權利要求1的組合物，其中X和Y彼此獨立，且對于每一重復單元 X獨立地選自C₁-C₄亞烷基。

3.如前述權利要求中任一項的組合物，其中所述胺化合物選自甲胺、 乙胺、丙胺、異丙胺、正丁胺、叔丁胺、己胺、二甲胺、二乙胺、環戊 胺、環己胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺、1，3-二氨基丙烷、 1，4-二氨基丁烷、1，5-二氨基戊烷、1，6-二氨基己烷、新戊二胺、異佛爾酮 二胺、4，9-二氧雜癸烷-1，12-二胺、4，7，10-三氧雜十三烷-1，13-二胺、三甘 醇二胺、二亞乙基三胺、3-(2-氨基乙基)氨基丙胺、3，3′-亞氨基二(丙胺)、 N，N-雙(3-氨基丙基)甲胺、雙(3-二甲基氨基丙基)胺、三亞乙基四胺和 N，N′-雙(3-氨基丙基)乙二胺。

4.如前述權利要求中任一項的組合物，其中所述C₃-C₄氧化烯選自氧化 丙烯。

5.如前述權利要求中任一項的組合物，其中氧化乙烯與其他C₃-C₄氧化 烯的共聚物中的氧化乙烯含量為30-70％。

6.如前述權利要求中任一項的組合物，其中所述抑制劑的分子量M_w為6000g/mol或更高。

7.如權利要求6的組合物，其中所述抑制劑的分子量M_w為7000-19000 g/mol。

8.如權利要求6的組合物，其中所述抑制劑的分子量M_w為9000-18000 g/mol。

9.如前述權利要求中任一項的組合物，其中含有活性氨官能團的胺化 合物含有至少3個活性氨基。

10.如前述權利要求中任一項的組合物，進一步包含一種或多種促進 劑。

11.如前述權利要求中任一項的組合物，進一步包含一種或多種流平 劑。

12.包含如前述權利要求中任一項的組合物的銅電鍍浴在將銅沉積至 包含孔尺寸為30納米或更小的結構的襯底上的用途。