[發(fā)明專利]雙面接觸的太陽能電池及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080015331.2 | 申請日: | 2010-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN102379043A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 菲利普·格拉內(nèi)克;丹尼爾·克賴;庫諾·邁爾;莫尼卡·阿萊曼;西比爾·霍普曼 | 申請(專利權(quán))人: | 弗蘭霍菲爾運輸應(yīng)用研究公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/068;B23K26/14;B23K26/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 接觸 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.用于制造雙面接觸的太陽能電池的方法,其中
a)晶圓的正面和背面的至少一些區(qū)域內(nèi)涂敷至少一個介電層;
b)實現(xiàn)所述至少一個介電層的微結(jié)構(gòu)化;
c)通過引導(dǎo)至少一個液體射流在待摻雜表面的一些區(qū)域上方,實現(xiàn)被微結(jié)構(gòu)化的表面區(qū)域的摻雜,該至少一個液體射流指向?qū)嶓w的表面且包括至少一種摻雜劑,并利用激光束提前或同時局部加熱該待摻雜表面;
d)在該晶圓的背面上的至少一些區(qū)域內(nèi)沉積含金屬的成核層;以及
e)為了該晶圓的雙面接觸,實現(xiàn)在晶圓的正面和背面上金屬化的至少一些區(qū)域內(nèi)的電鍍沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,通過用干式激光器、或水射流引導(dǎo)激光器、或包含蝕刻劑的液體射流引導(dǎo)激光器處理表面以實現(xiàn)所述微結(jié)構(gòu)化,所述液體射流指向固體的表面且包括用于晶圓的至少一種蝕刻劑,該液體射流被引導(dǎo)在待結(jié)構(gòu)化的表面的多個區(qū)域上方,該待結(jié)構(gòu)化的表面被激光束提前或同時局部加熱。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述蝕刻劑在所述至少一個介電層上比在襯底上具有更強(qiáng)的蝕刻效果,并且該蝕刻劑尤其選自H3PO4、H3PO3、PCl3、PCl5、POCl3、KOH、HF/HNO3、HCl、氯化合物、硫酸以及它們的混合物構(gòu)成的組。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述介電層選自SiNx、SiO2、SiOx、MgF2、TiO2、SiCx和Al2O3構(gòu)成的組。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,利用激光束耦合的含H3PO4、H3PO3和/或POCl3的液體射流實施所述摻雜。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述至少一種摻雜劑選自磷、硼、鋁、銦、鎵和它們的混合物構(gòu)成的組,尤其是磷酸、亞磷酸、磷酸鹽和氫磷酸鹽的溶液、硼砂、硼酸、硼酸鹽和過硼酸鹽、硼化合物、鎵化合物以及它們的混合物構(gòu)成的組。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,利用液體射流引導(dǎo)激光器同時實施所述微結(jié)構(gòu)化和摻雜。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述含金屬的成核層通過蒸發(fā)沉積、濺射或通過從水溶液還原來沉積,優(yōu)選同時在該晶圓的正面和背面實現(xiàn)該沉積。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述含金屬的成核層包括選自鋁、鎳、鈦、鉻、鎢、銀和它們的合金構(gòu)成的組的金屬。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,施加所述成核層之后,尤其通過激光退火進(jìn)行熱處理。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,在沉積所述含金屬的成核層之后,在所述正面上的至少一些區(qū)域中沉積用以增加粘著度的層。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,用于增加粘著度的該層包括選自鎳、鈦、銅、鎢和它們的合金構(gòu)成的組的金屬或由合金構(gòu)成。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,施加所述含金屬的成核層之后,通過金屬化,尤其是銀或銅的電鍍沉積實現(xiàn)至少一些區(qū)域內(nèi)的成核層的加厚,從而實現(xiàn)晶圓的正面和背面的接觸。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述激光束被在液體射流內(nèi)全反射引導(dǎo)。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述液體射流是層流的。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述液體射流具有10到500μm的直徑。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中,所述激光束以時間和/或空間脈沖形式,尤其是平頂形式、M形輪廓或矩形脈沖主動調(diào)整。
18.根據(jù)如前述權(quán)利要求之一所述的方法可以制造的太陽能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





