[發(fā)明專利]雙面接觸的太陽能電池及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080015331.2 | 申請日: | 2010-02-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102379043A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 菲利普·格拉內(nèi)克;丹尼爾·克賴;庫諾·邁爾;莫尼卡·阿萊曼;西比爾·霍普曼 | 申請(專利權(quán))人: | 弗蘭霍菲爾運(yùn)輸應(yīng)用研究公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/068;B23K26/14;B23K26/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 接觸 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于制造雙面接觸的太陽能電池的方法,該方法基于具有介電層的晶圓的微結(jié)構(gòu)化和被微結(jié)構(gòu)化的區(qū)域的摻雜。隨后實(shí)現(xiàn)含金屬的成核層的沉積以及接觸的電鍍加固。本發(fā)明還涉及能夠以這種方式制造的太陽能電池。
背景技術(shù)
太陽能電池的制造與用于精密加工晶圓的大量工序相關(guān)聯(lián)。這里包括發(fā)射極擴(kuò)散、介電層的施加及其微結(jié)構(gòu)化、晶圓的摻雜、接觸、成核層的施加及其加厚。
關(guān)于正面接觸的微結(jié)構(gòu)化,目前常見的應(yīng)用是薄氮化硅層(SiNx)的微結(jié)構(gòu)化。這些層就商業(yè)電池而言目前形成標(biāo)準(zhǔn)減反射涂層。由于該減反射涂層還部分地起到太陽能電池的正面鈍化作用,并且該層在正面金屬化之前被施加,因此必須通過相應(yīng)的微結(jié)構(gòu)化使此非導(dǎo)電層局部開口,以便將金屬接觸直接施加到硅襯底上。
因此,現(xiàn)有技術(shù)是利用含玻璃粉的金屬膏印刷SiNx層。首先進(jìn)行干燥以驅(qū)除有機(jī)溶劑,然后在高溫下(大約900℃)燒成。由此玻璃粉破壞SiNx層,使SiNx層局部溶解,因此能夠形成硅-金屬接觸。這種方法的缺陷是由玻璃粉產(chǎn)生的高接觸電阻(>10-3Ωcm2)以及能夠降低鈍化層質(zhì)量和硅襯底質(zhì)量的必需的高工藝溫度。
用于使SiNx層局部開口的已知的溫和方法是應(yīng)用光刻法結(jié)合濕化學(xué)蝕刻工藝。首先,將光刻膠層施加在晶圓上,并且經(jīng)由UV曝光和顯影使該光刻膠層結(jié)構(gòu)化。隨后,在含氫氟酸或含磷酸的化學(xué)體系中執(zhí)行濕化學(xué)蝕刻步驟,以去除在光刻膠的已開口位置處的SiNx。這種方法的一個(gè)很大的缺陷是極大的復(fù)雜性以及與此相關(guān)的成本。此外,利用該方法制造太陽能電池不能實(shí)現(xiàn)足夠的生產(chǎn)量。就某些氮化物而言,由于蝕刻速率太低,因此不能再應(yīng)用此處描述的方法。
此外,根據(jù)目前的技術(shù)發(fā)展水平已知,借助激光束,完全通過熱燒蝕(干式激光燒蝕)去除由SiNx制成的鈍化層。
關(guān)于晶圓摻雜,在微電子學(xué)中,通過外延生長的SiO2掩模的光刻結(jié)構(gòu)化以及隨后在擴(kuò)散爐內(nèi)的全表面擴(kuò)散來進(jìn)行局部摻雜是目前的技術(shù)發(fā)展水平。通過在光刻限定的抗蝕劑掩模上真空蒸發(fā)以及隨后在有機(jī)溶劑內(nèi)溶解抗蝕劑實(shí)現(xiàn)金屬化。該方法的缺陷是具有非常大的復(fù)雜性、時(shí)間長和成本要求高,并且整個(gè)表面加熱元件,這還會(huì)改變可能存在的擴(kuò)散層并且也能損壞襯底的電學(xué)性質(zhì)。
通過自摻雜(如含鋁的)金屬膏的絲網(wǎng)印刷以及隨后在約900℃的溫度下干燥和燒成也可以實(shí)現(xiàn)局部摻雜。該方法的缺陷是元件的高機(jī)械負(fù)荷、昂貴的耗材以及整個(gè)元件經(jīng)受的高溫。此外,僅大于100μm的結(jié)構(gòu)寬度在此是可以使用的。
另一種方法(“埋入式基極接觸”)使用全表面SiNx層,利用激光輻射使該層局部開口,然后在擴(kuò)散爐中擴(kuò)散摻雜層。由于SiNx層的遮蔽,僅在被激光開口的區(qū)域形成高度摻雜區(qū)。在對產(chǎn)生的磷硅酸鹽玻璃(PSG)進(jìn)行再蝕刻之后,通過在含金屬的液體內(nèi)無電流沉積形成金屬化。該方法的缺陷是激光所造成的損傷以及去除PSG所需的蝕刻步驟。此外,該方法包括一些單獨(dú)的步驟,這些單獨(dú)的步驟又需要很多處理步驟。
發(fā)明內(nèi)容
由此,本發(fā)明的目的是提供一種制造太陽能電池的更加有效的方法,該方法可以減少工序的數(shù)量且在本質(zhì)上可以無需昂貴的平板印刷步驟。另外,也設(shè)法減少用于接觸的金屬的量。
通過具有權(quán)利要求1的特性的方法和據(jù)此制造的具有權(quán)利要求18的特性的太陽能電池實(shí)現(xiàn)該目的。進(jìn)一步的多個(gè)從屬權(quán)利要求揭示了一些優(yōu)勢發(fā)展。
根據(jù)本發(fā)明,提供了一種制造雙面接觸的太陽能電池的方法,其中:
a)晶圓的正面和背面的至少一些區(qū)域內(nèi)涂敷至少一個(gè)介電層;
b)實(shí)現(xiàn)所述至少一個(gè)介電層的微結(jié)構(gòu)化;
c)通過引導(dǎo)至少一個(gè)液體射流在待摻雜表面的一些區(qū)域上方,實(shí)現(xiàn)被微結(jié)構(gòu)化的表面區(qū)域的摻雜,該至少一個(gè)液體射流指向?qū)嶓w的表面且包括至少一種摻雜劑,并利用激光束提前或同時(shí)局部加熱該待摻雜表面;
d)在該晶圓的背面上的至少一些區(qū)域內(nèi)沉積含金屬的成核層;以及
e)為了該晶圓的雙面接觸,實(shí)現(xiàn)在晶圓的正面和背面上金屬化的至少一些區(qū)域內(nèi)的電鍍沉積。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





