[發明專利]宏觀物體表面包含至少一層反射薄膜的結構,制造結構的方法,及其用途

無效

• 申請號: 201080014773.5
• 申請日: 2010-04-07
• 公開（公告）號: CN102369464A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: J·毛拉
• 申請（專利權）人: 貝尼科公司
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G02B1/10;C23C16/455;C23C16/40
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;陸惠中

1.在宏觀物體(1)表面上包含至少一層反射薄膜的結構，其特征在于沒有所述至少一層薄膜時，所述宏觀物體(1)的表面反射可見光波段內少于50％的入射光并且是不透明的，在所述宏觀物體表面上有所述至少一層薄膜時，從所述宏觀物體表面的可見光反射在有效視角內在光譜上基本上是均勻的和平的，所述至少一層薄膜(5、7、9)是介電的并對可見光基本透明，所述至少一層薄膜(5、7、9)通過將所述宏觀物體(1)的表面暴露于兩種或更多種初級粒子的交替重復、基本上自限性的表面反應而構建的，用于增加從所述表面鏡反射所述可見光波段內可見光的反射率。

2.權利要求1所述的結構，其特征在于所述宏觀物體(1)被安排以發揮RF功能或電絕緣功能。

3.權利要求1-2任一項所述的結構，其特征在于沒有所述至少一層薄膜時，所述宏觀物體(1)的表面反射所述可見光波段內少于40％，優選地少于20％，最優選地少于10％的入射光。

4.權利要求1-3任一項所述的結構，其特征在于沒有所述至少一層薄膜時，從所述宏觀物體(1)表面的可見光漫反射在光譜上基本上是均勻的和平的。

5.權利要求1-4任一項所述的結構，其特征在于沒有所述至少一層薄膜時，所述宏觀物體的表面基本是黑色的。

6.權利要求1-5任一項所述的結構，其特征在于所述宏觀物體的表面選自聚合物和玻璃。

7.權利要求1-6任一項所述的結構，其特征在于所述至少一層介電薄膜(5、7、9)是通過原子層沉積型方法構建的。

8.權利要求1-7任一項所述的結構，其特征在于所述結構只包含一層薄膜(9)，所述薄膜(9)在所述可見光波長范圍內的折射率是1.5以上，優選地1.8以上，最優選地2.1以上。

9.權利要求1-8任一項所述的結構，其特征在于所述薄膜(9)的厚度在20nm至100nm的范圍內。

10.權利要求1-9任一項所述的結構，其特征在于所述薄膜(5、7、9)的材料選自氧化鈦和氧化鋁。

11.在宏觀物體(1)表面上制造包含至少一層反射薄膜的結構的方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

-通過將所述表面暴露于兩種或更多種初級粒子的交替重復、基本上自限性的表面反應在所述表面上沉積至少一層薄膜(5、7、9)，在沒有所述至少一層薄膜時，所述宏觀物體(1)的表面反射可見光波段內少于50％的入射光并且是不透明的，在所述宏觀物體表面上有所述至少一層薄膜時，從所述宏觀物體表面的可見光反射在有效視角內在光譜上基本上是均勻的和平的，所述至少一層薄膜(5、7、9)是介電的并對可見光基本上透明，用于增加從所述表面鏡反射所述可見光波段內可見光的反射率。

12.權利要求11所述的方法，其特征在于所述宏觀物體(1)被安排以發揮RF功能或電絕緣功能。

13.權利要求11-12任一項所述的方法，其特征在于沒有所述至少一層薄膜時，所述宏觀物體(1)的表面反射可見光波段內少于40％，優選地少于20％，最優選地少于10％的入射光。

14.權利要求11-13任一項所述的方法，其特征在于沒有所述至少一層薄膜時，從所述宏觀物體(1)的表面的可見光漫反射在光譜上基本上是均勻的和平的。

15.權利要求11-14任一項所述的方法，其特征在于沒有所述至少一層薄膜時，所述宏觀物體的表面基本上是黑色的。

16.權利要求11-15任一項所述的方法，其特征在于所述宏觀物體的表面選自聚合物和玻璃。

17.權利要求11-16任一項所述的方法，其特征在于沉積所述至少一層介電薄膜(5、7、9)的步驟包括通過原子層沉積型方法沉積所述至少一層介電薄膜(5、7、9)。

18.權利要求11-17任一項所述的方法，其特征在于所述結構只包含一層薄膜(9)，所述薄膜(9)在可見光波長范圍內的折射率是1.5以上，優選地1.8以上，最優選地2.2以上。

19.權利要求11-18任一項所述的方法，其特征在于述薄膜(9)的厚度在20nm至100nm的范圍內。