[發明專利]半導體處理

無效

• 申請號: 201080014671.3
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN102369599A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 尤金·P·馬什;蒂莫西·A·奎克
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/205
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種半導體處理方法，其包括：

在結構上形成硅層；

形成穿過所述硅層且進入到所述結構中的開口；及

在所述開口中選擇性地形成電阻可變材料以使得所述電阻可變材料不形成于所述硅層上。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包含在所述電阻可變材料上形成氧阻隔層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中形成所述氧阻隔層包含原位密封所述電阻可變材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地形成所述電阻可變材料包含：

使脒基鍺與NH₃反應；及

使Sb(OR)₃與NH₃反應，其中R為烷基。

5.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地形成所述電阻可變材料包含：

使脒基鍺與NH₃反應；及

使Te(OR)₄與NH₃反應，其中R為烷基。

6.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地形成所述電阻可變材料包含：

使Ge(NR₂)₄與NH₃反應；及

使Sb(OR)₃與NH₃反應；

其中R為烷基。

7.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地形成所述電阻可變材料包含：

使Ge(NR₂)₄與NH₃反應；及

使Te(OR)₄與NH₃反應；

其中R為烷基。

8.根據權利要求1到7中任一權利要求所述的方法，其中所述開口具有小于或等于35nm的寬度。

9.一種半導體處理方法，其包括：

在結構上沉積硅層；

移除所述硅層的一部分及所述結構的一部分以在其中形成圓柱形容器；及

在所述圓柱形容器中選擇性地沉積相變材料以使得無相變材料沉積在所述硅層上。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述方法包含在所述相變材料上原位形成帽蓋以便防止所述相變材料的氧化。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述帽蓋為電極。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述相變材料為Ge-Sb材料。

13.根據權利要求9所述的方法，其中所述相變材料為Ge-Te材料。

14.根據權利要求9到13中任一權利要求所述的方法，其中所述圓柱形容器具有大于或等于2∶1的縱橫比。

15.一種半導體處理方法，其包括：

在襯底上形成結構，其中所述襯底包含電極；

在所述結構上形成硅層；

形成穿過所述硅層及所述結構的開口，其中：

所述電極的表面界定所述開口的底部；

所述結構的第一表面及所述硅層的第一表面界定所述開口的第一側壁；且

所述結構的第二表面及所述硅層的第二表面界定所述開口的第二側壁；及

在所述開口中選擇性地形成電阻可變材料以使得所述電阻可變材料不形成于所述硅層上。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述方法包含：

在所述電阻可變材料及硅層上原位形成帽蓋；及

移除所述帽蓋的位于所述硅層上的一部分。

17.根據權利要求16所述的方法，其中原位形成所述帽蓋包含在其中發生所述電阻可變材料的所述選擇性形成的同一室中形成所述帽蓋。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述方法不包含移除所述電阻可變材料的任一部分。

19.根據權利要求15所述的方法，其中選擇性地形成所述電阻可變材料包含選擇性地形成所述電阻可變材料以使得所述電阻可變材料覆蓋所述開口的所述底部及所述結構的所述第一及第二表面但不覆蓋所述硅層的所述第一及第二表面。

20.根據權利要求15到19中任一權利要求所述的方法，其中選擇性地形成所述電阻可變材料包含選擇性地形成所述電阻可變材料以使得所述電阻可變材料填充所述開口的由所述開口的所述底部以及所述結構的所述第一及第二表面形成的一部分。