[發明專利]電致發光裝置無效
| 申請號: | 201080014241.1 | 申請日: | 2010-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN102365768A | 公開(公告)日: | 2012-02-29 |
| 發明(設計)人: | 笠松直史 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H05B33/22 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 陳平 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電致發光 裝置 | ||
1.一種電致發光裝置,所述電致發光裝置包括:
電極;
多個層,所述多個層一個在另一個之上地沉積在所述電極之間;和
在所述多個層之間的發光區,所述發光區通過在所述電極之間施加電 場而發光,其中所述多個層的每一層的厚度和折射率滿足在所述電致發光 裝置中的共振條件,使得由從所述發光區發射的光所致的駐波的電場的強 度最高的區域與所述發光區基本上重合,并且其中所述發光區附近布置有 金屬構件,所述金屬構件在其表面上由所述發射光所致而誘導等離子體激 元共振。
2.根據權利要求1所述的電致發光裝置,其中所述多個層至少包括 電子傳遞層、發光層和正空穴傳遞層,并且所述層中的每一層由有機層形 成。
3.根據權利要求1或2所述的電致發光裝置,其中所述金屬構件與 所述發光區之間的距離小于或等于30nm。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的電致發光裝置,其中所述金 屬構件是布置在所述多個層之間的金屬薄膜。
5.根據權利要求4所述的電致發光裝置,其中所述金屬薄膜是島狀 物圖案薄膜,其中以層的形式分散粒徑大于或等于5nm的多個金屬微粒。
6.根據權利要求4或5所述的電致發光裝置,其中在所述金屬薄膜 的表面的至少一個上安置有表面修飾物,所述表面修飾物包含端基,所述 端基具有極性,使得所述金屬薄膜的功函變得接近緊鄰所述金屬薄膜的至 少一層的功函。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的電致發光裝置,其中所述金 屬構件是包含金屬微粒核和覆蓋金屬微粒的絕緣殼的核-殼型微粒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





