[發(fā)明專利]電致發(fā)光裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080014241.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102365768A | 公開(公告)日: | 2012-02-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 笠松直史 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士膠片株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H05B33/22 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 陳平 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電致發(fā)光 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及通過施加電場(chǎng)而發(fā)光的電致發(fā)光的發(fā)光裝置(電致發(fā)光裝 置),并且尤其涉及可以高效率地發(fā)光的電致發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
電致發(fā)光裝置(EL裝置),如有機(jī)EL裝置,LED(發(fā)光二極管)和半導(dǎo) 體激光器以這樣的方式構(gòu)造:在基板上一個(gè)在另一個(gè)之上地沉積(堆疊, 重疊等)電極層,發(fā)光層等。通常,通過透明電極提取發(fā)光層中產(chǎn)生的光。 然而,受到各層的折射率的影響,當(dāng)光以大于或等于臨界角的角度進(jìn)入光 提取側(cè)層的界面時(shí),發(fā)生全反射。因此,光被俘獲在電致發(fā)光裝置中,并 且不能從其中提取光。因此,發(fā)射光的高效率提取是困難的。例如,當(dāng)透 明電極的折射率是通常被用作透明電極的材料的ITO(氧化銦錫)等的折射 率時(shí),據(jù)稱光提取效率為大約20%。
例如,在有機(jī)EL裝置中,已知當(dāng)有機(jī)材料長(zhǎng)期存在于激發(fā)狀態(tài)下時(shí), 有機(jī)材料的化學(xué)鍵自發(fā)斷裂,并且隨著時(shí)間過去有機(jī)EL裝置的發(fā)光性能 劣化。當(dāng)使用有機(jī)材料作為電致發(fā)光裝置(發(fā)光裝置)的材料時(shí)解決這個(gè)問 題是必要的。此外,在使用熒光時(shí),上能級(jí)(上能級(jí)或狀態(tài))處的生成效率 理論上被限定為25%,并且不可能提高發(fā)光效率超過該水平。原則上, 當(dāng)使用磷光并促進(jìn)系間竄越時(shí),可以誘導(dǎo)只包括三線態(tài)的上能級(jí)。因此, 可以將理論極限增加至75%至100%的范圍。然而,上能級(jí)中三線態(tài)的壽 命長(zhǎng)于熒光的壽命,它在容許躍遷中發(fā)射,并且激子之間的碰撞幾率高。 因此,發(fā)光效率低。此外,該裝置劣化得更快,并且該裝置的耐久性差。
如上所述,EL裝置的提取效率和發(fā)光效率低。因此,發(fā)射光的利用 效率極低,并且,需要提高利用效率。
為解決這些問題,使用了多種方法提高提取效率和發(fā)光效率(或增強(qiáng) 光發(fā)射)。
例如,日本未審查專利公布號(hào)2006-313667提出了一種有機(jī)EL裝置, 其中控制了光發(fā)射的方向性以提高所提取的光的利用效率。該有機(jī)EL裝 置在電極的表面上包含具有凸起和凹陷的不平坦圖案。此外,該有機(jī)EL 裝置的發(fā)光層由具有窄的光發(fā)射光譜寬度的發(fā)光材料制成。
此外,J.Chang和A.W.Lu,“用于有機(jī)微腔OLED的空腔設(shè)計(jì)和優(yōu) 化(Cavity?design?and?optimization?for?organic?microcavity?OLEDs)”,Proc. SPIE,第6038卷,603824,2005年;W.L.Barnes,“近界面熒光:光子 模式密度的作用(Fluorescence?near?interfaces:the?role?of?photonic?mode? density)”,現(xiàn)代光學(xué)雜志(Journal?ofModern?Optics),第45卷,第661-699 頁,1998年;以及W.Li等,“Alq3的發(fā)射效率增強(qiáng)和用于等離子體激 元增強(qiáng)有機(jī)電致發(fā)光的展望(Emissive?Efficiency?Enhancement?of?Alq3?and? Prospects?for?Plasmon-enhanced?Organic?Electroluminescence)”,Proc.SPIE, 第7032卷,第703224-1-703224-7頁,2008年,提出使用微腔效應(yīng)的方 法和使用等離子體激元增強(qiáng)效應(yīng)的方法作為用于提高光發(fā)射效率(增強(qiáng)光 發(fā)射)的方法。
在使用微腔效應(yīng)的方法中,在有機(jī)EL裝置中設(shè)置共振腔(resonator) 以控制光發(fā)射的方向性(以縮窄)。此外,使駐波的波腹(反節(jié)點(diǎn)(anti-node)) (由駐波所致的電場(chǎng)的強(qiáng)度最高的位置)與發(fā)光部分匹配以增強(qiáng)光發(fā)射。J. Chang和A.W.Lu,“用于有機(jī)微腔OLED的空腔設(shè)計(jì)和優(yōu)化(Cavity? design?and?optimization?for?organic?microcavity?OLED)”,Proc.SPIE,第 6038卷,603824,2005年,提出了采用在有機(jī)EL裝置的任意一端上包 含鏡子的結(jié)構(gòu)。在該方法中,將銀鏡和銅鏡布置在有機(jī)EL裝置的任意一 端上以使微腔效應(yīng)積極地展現(xiàn)出來。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





