[發(fā)明專利]用于光電子器件的薄層封裝，其制造方法以及光電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080013287.1
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN102362369B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 迪爾克·貝克;托馬斯·多貝廷;埃爾溫·蘭;蒂洛·羅伊施
• 申請（專利權(quán)）人: 歐司朗OLED股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/44
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;李春暉

本專利申請要求德國專利申請10 2009 014 543.5和10 2009 024 411.5的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。

本申請涉及一種用于光電子器件的薄層封裝、用于光電子器件的制造方法以及一種光電子器件。

光電子器件并且尤其是具有有機功能材料的光電子器件例如有機發(fā)光二極管(OLED)對于濕氣和氧氣特別敏感。為了保護免受濕氣和氧氣影響，OLED例如通常費事地用玻璃腔封裝，其粘合到器件上。

此外，帶有薄層的薄層封裝是已知的，其將器件相對于濕氣和氧氣密封。這種薄層封裝例如在申請DE 10 2008 031 405、DE 10 2008 048 472和DE 10 2008 019 900中進行了描述。這里描述的薄層封裝尤其具有的缺點是，對于可見光僅僅具有小的光學透射性。

本發(fā)明的任務(wù)是，提出一種針對光電子器件的改進的薄層封裝。尤其是薄層封裝應當具有對于可見光的良好的光學透射性。此外，本申請的任務(wù)是，提出一種用于制造薄層封裝的方法以及帶有這種薄層封裝的光電子器件。

這些任務(wù)通過根據(jù)本發(fā)明的薄層封裝來解決，通過一種光電子器件來解決，其中所述光電子器件是有機發(fā)光二極管，所述光電子器件具有：-襯底，-產(chǎn)生輻射的有源區(qū)，其施加在襯底上，以及-薄層封裝，其直接設(shè)置在產(chǎn)生輻射的有源區(qū)上，所述薄層封裝具有包括以下層的層序列：-第一原子層沉積層，其借助原子層沉積來沉積，并且由氧化鑭構(gòu)成，以及-第二原子層沉積層，其借助原子層沉積來沉積，并且由氧化鈦構(gòu)成，其中-第一原子層沉積層與第二原子層沉積層直接接觸，-層序列的外表面通過由氧化鈦構(gòu)成的原子層沉積層形成，并且-薄層封裝施加到有源區(qū)上，使得在有源區(qū)中產(chǎn)生的輻射穿過薄層封裝；以及通過一種用于制造光電子器件的的方法來解決，所述光電子器件是有機發(fā)光二極管，所述方法包括：-提供襯底，-將產(chǎn)生輻射的有源區(qū)施加在襯底上，-將薄層附裝通過如下方式直接施加在產(chǎn)生輻射的有源區(qū)上：-借助原子層沉積來沉積第一原子層沉積層，其由氧化鑭構(gòu)成，以及-借助原子層沉積以與第一原子層沉 積層直接接觸的方式來沉積第二原子層沉積層，其中所述第二原子層沉積層由氧化鈦構(gòu)成，其中層序列的外表面通過由氧化鈦構(gòu)成的原子層沉積層形成。

本發(fā)明的有利的實施形式以及改進方案在本文中說明。

在此，“薄層封裝”理解為一種裝置，其適于形成相對于氣氛材料、尤其是相對于濕氣和氧氣的壁壘。換而言之，薄膜封裝構(gòu)建為使得其可以被氣氛材料如水或者氧氣最多以非常少的部分穿透。該壁壘作用在薄層封裝的情況下基本上通過為薄層封裝的一部分的薄層產(chǎn)生。薄層封裝的層通常具有小于或者等于數(shù)百納米的厚度。

根據(jù)一個實施形式，薄層封裝由如下薄層構(gòu)成，這些薄層負責薄層封裝的壁壘作用。

用于光電子器件的、具有對于可見光的良好透射性的薄層封裝尤其具有帶有以下層的層序列：

-第一ALD層，其借助原子層沉積來沉積，以及

-第二ALD層，其同樣借助原子層沉積來沉積。

在此要指出的是，層序列并不局限于兩個ALD層。更確切地說，層序列可以具有其他ALD層。同樣地，層序列可以具有其他層，其借助不同于原子層沉積的方法來產(chǎn)生。

僅僅具有ALD層的層序列在此也稱為“納米層壓物”。

“原子層沉積”(“atomic layer deposition”，ALD)在此表示一種方法，其中第一氣態(tài)的輸出化合物被輸送給體積，在該體積中提供要涂覆的表面，使得第一氣態(tài)化合物可以在該表面上進行吸收。在優(yōu)選完全或者幾乎完全用第一輸出化合物覆蓋該表面之后，第一輸出化合物的還是氣態(tài)和/或并未在表面上吸收的部分通常又從體積中去除，并且第二輸出化合物被輸送。第二輸出化合物設(shè)計用于與在表面上吸收的第一輸出化合物化學反應來形成固態(tài)的ALD層。

在此要指出的是，在原子層沉積時也可以使用多于兩種輸出化合物。

在原子層沉積時通常有利的是，要涂覆的表面加熱到超過室溫的溫度。由此，可以以熱學方式發(fā)起反應用于形成固體的ALD層。要涂覆的表面的溫度在此通常與輸出化合物相關(guān)。

在此，無等離子體的原子層沉積(“plasma-less atomic layer deposition”，PLALD)表示一種ALD方法，對其并未產(chǎn)生如下所描述的等離子體，而是其中為了形成固體層，輸出化合物的反應僅僅通過要涂覆的表面的溫度來發(fā)起。

要涂覆的表面的溫度在PLALD方法中通常在60℃到120℃之間，其中包括邊界。