[發明專利]用于光電子器件的薄層封裝，其制造方法以及光電子器件

有效

• 申請號: 201080013287.1
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN102362369B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發明（設計）人: 迪爾克·貝克;托馬斯·多貝廷;埃爾溫·蘭;蒂洛·羅伊施
• 申請（專利權）人: 歐司朗OLED股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;李春暉

1.一種光電子器件，所述光電子器件是有機發光二極管，所述光電子器件具有：

-襯底(8)，

-產生輻射的有源區(9)，其施加在襯底(8)上，以及

-薄層封裝(1)，其直接設置在產生輻射的有源區(9)上，所述薄層封裝具有包括以下層的層序列(2)：

-第一原子層沉積層(3)，其借助原子層沉積來沉積，并且由氧化鑭構成，以及

-第二原子層沉積層(4)，其借助原子層沉積來沉積，并且由氧化鈦構成，其中

-第一原子層沉積層(3)與第二原子層沉積層(4)直接接觸，

-層序列的外表面通過由氧化鈦構成的原子層沉積層形成，并且

-薄層封裝(1)施加到有源區(9)上，使得在有源區(9)中產生的輻射穿過薄層封裝(1)。

2.根據權利要求1所述的光電子器件，其中層序列(2)包括至少一個另外的層(6，7)，所述另外的層借助等離子體支持的工藝或者通過熱蒸發來沉積。

3.根據權利要求1所述的光電子器件，其中層序列(2)包括至少一個另外的層(6，7)，所述另外的層借助濺射或者等離子體增強化學氣相沉積來沉積。

4.根據權利要求2或3所述的光電子器件，其中所述另外的層(6，7)具有以下材料中的至少一種：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化銦錫、氧化銦鋅、鋁摻雜的氧化鋅、氧化鋁以及它們的混合物和合金。

5.根據權利要求2或3所述的光電子器件，其中所述另外的層(6，7)設置在層序列(2)的外側上。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的光電子器件，其中層序列(2)的層多次重復。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的光電子器件，其中層序列(2) 的層周期性地重復。

8.根據權利要求6所述的光電子器件，其中原子層沉積層(3，4)具有在一個原子層和10nm之間的厚度，其中包括邊界。

9.根據權利要求7所述的光電子器件，其中原子層沉積層(3，4)具有在一個原子層和10nm之間的厚度，其中包括邊界。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的光電子器件，其中薄層封裝(1)設置在有源區(9)和襯底(8)之間。

11.根據權利要求1至3中任一項所述的光電子器件，其中襯底(8)柔性地構建。

12.根據權利要求4所述的光電子器件，其中所述另外的層借助于等離子體支持的工藝來沉積并且包括氮化硅或者由氮化硅制成。

13.根據權利要求4所述的光電子器件，其中所述另外的層借助于濺射或PECVD來沉積并且包括氮化硅或者由氮化硅制成。

14.根據權利要求4所述的光電子器件，其中所述另外的層具有1nm到5μm之間的厚度，其中包括邊界。

15.根據權利要求4所述的光電子器件，其中所述另外的層具有1nm到400nm之間的厚度，其中包括邊界。

16.一種用于制造光電子器件的方法，所述光電子器件是有機發光二極管，所述方法包括：

-提供襯底，

-將產生輻射的有源區(9)施加在襯底上，

-將薄層附裝(1)通過如下方式直接施加在產生輻射的有源區(9)上：

-借助原子層沉積來沉積第一原子層沉積層(3)，其由氧化鑭構成，以及

-借助原子層沉積以與第一原子層沉積層直接接觸的方式來沉積第二原子層沉積層(4)，其中所述第二原子層沉積層(4)由氧化鈦構成，其中層序列的外表面通過由氧化鈦構成的原子層沉積層形成。