[發明專利]導電性涂布組合物和導電性涂布膜的制造方法有效
| 申請號: | 201080013023.6 | 申請日: | 2010-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN102361942A | 公開(公告)日: | 2012-02-22 |
| 發明(設計)人: | 大高剛史;神田陽一;宮島徹 | 申請(專利權)人: | 三洋化成工業株式會社 |
| 主分類號: | C09D165/00 | 分類號: | C09D165/00;B05D5/12;C09D5/24;C09D7/12 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香蘭;張志楠 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電性 組合 涂布膜 制造 方法 | ||
1.一種導電性涂布組合物(A),該導電性涂布組合物(A)的特征在于,其含有取代 聚噻吩(P)和摻雜劑(D),噻吩重復單元中的至少一部分為噻吩環的3位和/或4位被下 述(a)、(b)、(c)或(d)取代的噻吩重復單元(α):
(a)聚醚基,該聚醚基具有1~9個碳原子數為2~4的氧化烯烴基重復單元,該聚 醚基的一個末端是碳原子數為1~15的烷氧基;
(b)烷氧基;
(c)烷氧基烷基;
(d)具有或不具有上述聚醚基(a)作為取代基的烷基。
2.如權利要求1所述的導電性涂布組合物,其中,所述噻吩重復單元(α)為通式 (1)所示的重復單元(α1)、通式(2)所示的重復單元(α2)或通式(3)所示的重復單元(α3):
[化1]
式中,OR1和OR4各自獨立地表示氧化乙烯基或氧化丙烯基,R2、R5和R6各自 獨立地表示碳原子數為1~12的直鏈或帶支鏈的烷基,R3表示碳原子數為1~4的直 鏈或帶支鏈的亞烷基,n和m各自獨立地為0~5的整數。
3.如權利要求2所述的導電性涂布組合物,其中:
所述重復單元(α1)中,通式(1)中的OR1為氧化乙烯基,n為0的情況下R2是碳 原子數為3~12的直鏈或帶支鏈的烷基,n為1以上的情況下R2是碳原子數為1~6 的直鏈或帶支鏈的烷基;
所述重復單元(α2)中,通式(2)中的R3是碳原子數為1~3的亞烷基、OR4是氧化 乙烯基,m為0的情況下R5是碳原子數為3~12的直鏈或帶支鏈的烷基,m為1以 上的情況下R5是碳原子數為1~6的直鏈或帶支鏈的烷基;
所述重復單元(α3)中,通式(3)中的R6是碳原子數為3~12的直鏈或帶支鏈的烷 基。
4.如權利要求1~3的任一項所述的導電性涂布組合物,其中,所述取代聚噻吩 (P)中的所述噻吩重復單元(α)的含量為取代聚噻吩(P)的50重量%~100重量%。
5.如權利要求1~3的任一項所述的導電性涂布組合物,其中,所述摻雜劑(D) 為硫酸或氯醌酸。
6.如權利要求1~3的任一項所述的導電性涂布組合物,其中,所述取代聚噻吩 (P)中的以頭尾-頭尾鍵接的百分數定義的立構規整性為90%以上。
7.一種固體電解電容器電極,其使用權利要求1~3的任一項所述的導電性涂布 組合物。
8.一種導電性涂布膜的制造方法,該制造方法包括如下工序:在將權利要求1~ 3的任一項所述的導電性涂布組合物涂布至基質后進行加熱處理。
9.如權利要求8所述的制造方法,其中,在100℃~190℃加熱處理溫度下進行 加熱處理而得到導電性涂布膜,將所得到的導電性涂布膜在125℃加熱240小時后的 電導率的保持率為10%~100%,
其中,電導率的保持率(%)=σ1×100/σ0,
式中,σ0表示在125℃加熱240小時之前在室溫下測定的涂布膜的電導率,σ1表 示在125℃加熱240小時后自然冷卻至室溫進行測定的涂布膜的電導率。
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