[發明專利]Cu膜的成膜方法及存儲介質

無效

• 申請號: 201080011548.6
• 申請日: 2010-02-04
• 公開（公告）號: CN102348831A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 小島康彥;檜皮賢治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;H01L21/285
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種Cu膜的成膜方法，其包含以下工序：

在處理容器內收納基板的工序；

以氣相狀態將含1價脒基銅的成膜原料和含羧酸的還原劑導入至所述處理容器內的工序；

使所述成膜原料與所述還原劑在基板上反應而使Cu膜沉積在基板上的工序。

2.根據權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其中，所述成膜原料所含的1價脒基銅為N，N′-二仲丁基乙脒基Cu(I)。

3.根據權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其中，構成所述還原劑的羧酸為甲酸。

4.根據權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其中，構成所述還原劑的羧酸為乙酸。

5.根據權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，使成膜時的基板溫度為200℃以下。

6.根據權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其將含1價脒基銅的成膜原料和含羧酸的還原劑同時供至所述處理容器內。

7.根據權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，隔著吹掃氣體的供給，交替地向所述處理容器內供給含1價脒基銅的成膜原料和含羧酸的還原劑。

8.一種存儲介質，其為在計算機上運行、存儲有用于控制成膜裝置的程序的存儲介質，所述程序在執行時進行包含以下工序的Cu膜的成膜方法：在處理容器內收納基板的工序；以氣相狀態將含1價脒基銅的成膜原料和含羧酸的還原劑導入至所述處理容器內的工序；使所述成膜原料與所述還原劑在基板上反應而使Cu膜沉積在基板上的工序。