[發明專利]太陽能電池的制造方法和太陽能電池

無效

• 申請號: 201080011200.7
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN102349166A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 高濱豪;小野雅義;森博幸;村上洋平
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/075
• 分類號: H01L31/075
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及背面結型的太陽能電池的制造方法和太陽能電池。

背景技術

太陽能電池由于能夠將干凈且無窮盡地供給的太陽光直接轉換為電，所以作為新能源被期待。

目前，提案有在n型半導體基板的背面上具有多個p側電極和多個n側電極的所謂背面結(接合)型的太陽能電池(例如參照專利文獻1)。

具體而言，專利文獻1中記載的太陽能電池包括：覆蓋n型半導體基板的背面的i型半導體層；在i型半導體層上沿著規定的方向形成的多個p型半導體層；和覆蓋i型半導體層和多個p型半導體層的n型半導體層。各p側電極隔著n型半導體層，形成在各p型半導體層上。各n側電極形成于兩個p側電極之間。

根據這樣的結構，由于在形成n型半導體層的工序中，不需要用掩模來覆蓋p型半導體層，所以能夠實現太陽能電池的制作工序的簡化。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-101151號公報([0039]段落、圖2)

發明內容

然而，在專利文獻1記載的結構中，n側電極和p側電極相互形成在n型半導體層上。因此，具有容易在n側電極和p側電極之間產生漏電流，太陽能電池特性降低的問題。

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于：提供能夠提高太陽能電池特性的背面結型的太陽能電池的制造方法和太陽能電池。

本發明的太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：在半導體基板的一個主面的第一區域上，形成具有第一導電型的第一半導體層的工序A；從上述一個主面的上述第二區域上跨過上述第一半導體層上方，形成具有第二導電型的第二半導體層的工序B；在上述第二半導體層上形成電極層的工序C；在上述電極層中的與上述第一區域和上述第二區域對應的區域上施加保護膜的工序D；將上述電極層中的從上述保護膜露出的部分除去的工序E；和將上述保護膜除去的工序F，其中，在上述工序F中，將上述第二半導體層中的從上述掩模露出的部分的至少一部分與上述保護膜一并除去。

根據本發明的太陽能電池的制造方法，能夠使第二半導體層的厚度在電極層之間變小。因此，不利用掩模等對第二半導體層進行圖案化，就能抑制電極層之間的漏電流。其結果是，能夠提高太陽能電池的特性。

本發明的太陽能電池，其特征在于，包括：半導體基板；在半導體基板的一個主面上的第一區域上形成、并具有第一導電型的第一半導體層；在半導體基板的一個主面上的第二區域上形成、并具有第二導電型的第二半導體層；在第一區域上形成在第一半導體層上的第一電極；和在第二區域上形成在第二半導體層上的第二電極，第二半導體層從第二區域上跨過第一半導體層上方地形成，第二半導體層，在從第一電極和第二電極露出的部分，具有與第二半導體層中的被第一電極和第二電極覆蓋的部分相比厚度小的部分。

在本發明的太陽能電池中，第二半導體層的導電型也可以是n型。

在本發明的太陽能電池中，半導體基板也可以是結晶硅基板。

在本發明的太陽能電池中，半導體基板也可以具有p型導電型。

在本發明的太陽能電池中，第一半導體層和第二半導體層也可以由非晶質半導體構成。

根據本發明，能夠提供一種能夠提高太陽能電池特性的背面結型的太陽能電池的制造方法和太陽能電池。

附圖說明

圖1是本發明的第一實施方式的太陽能電池100的背面側的俯視圖。

圖2是圖1的A-A線的放大截面圖。

圖3是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。

圖4是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。

圖5是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。

圖6是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。

圖7是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。

圖8是本發明的第二實施方式的太陽能電池100的背面側的俯視圖。

圖9是圖8的B-B線的放大截面圖。

圖10是表示本發明的實施方式的太陽能電池100的結構的截面圖。

具體實施方式

接著，使用附圖，對本發明的實施方式進行說明。在以下的附圖的記載中，對相同或類似的部分附加相同或類似的標記。其中，應注意：圖面是示意性的，各尺寸的比率等與現實的不同。因此，應參照以下的說明來判斷具體的尺寸等。另外，即使在附圖相互之間包含有相互的尺寸的關系和比率不同的部分也是不言而喻的。