[發明專利]太陽能電池的制造方法和太陽能電池

無效

• 申請號: 201080011200.7
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN102349166A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 高濱豪;小野雅義;森博幸;村上洋平
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/075
• 分類號: H01L31/075
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

在半導體基板的一個主面的第一區域上，形成具有第一導電型的第一半導體層的工序A；

從所述一個主面的所述第二區域上跨過所述第一半導體層上方，形成具有第二導電型的第二半導體層的工序B；

在所述第二半導體層上形成電極層的工序C；

在所述電極層中的與所述第一區域和所述第二區域對應的區域上施加保護膜的工序D；

將所述電極層中的從所述保護膜露出的部分除去的工序E；和

將所述保護膜除去的工序F，其中

在所述工序F中，將所述第二半導體層中的從所述掩模露出的部分的至少一部分與所述保護膜一并除去。

2.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

半導體基板；

在所述半導體基板的一個主面上的第一區域上形成，并具有第一導電型的第一半導體層；

在所述半導體基板的所述一個主面上的第二區域上形成，并具有第二導電型的第二半導體層；

在所述第一區域上形成在所述第一半導體層上的第一電極；和

在所述第二區域上形成在所述第二半導體層上的第二電極，

所述第二半導體層從所述第二區域上跨過所述第一半導體層上方地形成，

所述第二半導體層，在從所述第一電極和所述第二電極露出的部分，具有與所述第二半導體層中的被所述第一電極和所述第二電極覆蓋的部分相比厚度小的部分。

3.如權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于：

所述第二半導體層的導電型是p型。

4.如權利要求2或3所述的太陽能電池，其特征在于：

所述半導體基板是結晶硅基板。

5.如權利要求2或3所述的太陽能電池，其特征在于：

所述半導體基板具有n型導電型。

6.如權利要求4所述的太陽能電池，其特征在于：

所述第一半導體層和所述第二半導體層由非晶質半導體構成。