[發明專利]太陽能電池的制造方法

無效

• 申請號: 201080009223.4
• 申請日: 2010-02-26
• 公開（公告）號: CN102334192A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 高濱豪;小野雅義;森博幸;村上洋平
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術區域

本發明涉及背面接合型的太陽能電池的制造方法。

背景技術

太陽能電池，由于能夠將綠色且取之不盡地供給的太陽光直接轉換為電力，因此作為新能源被寄予期待。

在現有技術中提案有：基板的背面上具備多個p側電極和多個n側電極，即所謂的背面接合型的太陽能電池(例如：參照專利文獻1)。

專利文獻1中所記載的太陽能電池由以下方法制造。首先，清洗基板的背面。然后在基板的背面設置規定圖案的第一掩膜，依次形成i型半導體層、p型半導體層和p側電極。然后除去第一掩膜，以從基板的背面上至p側電極上的方式依次形成i型半導體層和n型半導體層。然后在n型半導體層上設置第二掩膜，形成n側電極。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-101151號公報(第[0039]段，圖2)

發明內容

此處，為了抑制在基板背面的載流子的復合，優選在依次形成i型半導體層和n型半導體層之前，在基板的背面之中設置有第一掩膜的區域實施清洗處理。

但是，當在p側電極形成后進行例如濕式蝕刻處理這樣的清洗處理時，因被離子化的p側電極的構成物質而導致基板的背面被污染。另外，如果在p側電極形成前進行清洗處理，在p側電極形成時，導致基板的背面被p側電極的構成物質污染。因此，在專利文獻1所記載的方法中，充分抑制基板背面的載流子的復合是困難的。

本發明是鑒于上述狀況而完成的，本發明的目的在于提供能夠抑制載流子的復合的太陽能電池的制造方法。

本發明的特征的太陽能電池的制造方法的要旨是，具備：在半導體基板的一個主面的第一區域上，形成具有第一導電型的第一半導體層的工序A；清洗上述一個主面的第二區域的工序B；和從上述一個主面的上述第二區域上至上述第一半導體層上，形成具有第二導電型的第二半導體層的工序C。

根據本發明的特征的太陽能電池的制造方法，能夠在清洗一個主面之中的第二區域上之后，在第二區域上形成第二半導體層。由此在半導體基板的一個主面與第二半導體層的界面能夠抑制載流子的復合。

在本發明的特征的太陽能電池的制造方法中，上述工序A含有：在上述一個主面的大致整個面，形成具有上述第一導電型的第三半導體層的工序；用抗蝕劑膜覆蓋在上述第三半導體層之中形成在上述第一區域上的部分的工序；除去在上述第三半導體層之中從上述抗蝕劑膜露出的部分的工序；和除去上述抗蝕劑膜的工序。

在本發明的特征的太陽能電池的制造方法中，可以在上述工序A和上述工序B之間，還具備在上述第一半導體層上形成復合層的工序，在上述工序C中，從上述第二區域上至上述復合層上，形成上述第二半導體層。

在本發明的特征的太陽能電池的制造方法中，上述半導體基板可以具有第一導電型。

在本發明的特征的太陽能電池的制造方法中，上述復合層是具有第一導電型的半導體層，上述半導體層含有的第一導電型的雜質的量，比上述第一半導體層含有的第一導電型的雜質的量多。

在本發明的特征的太陽能電池的制造方法中，上述復合層可以是將異種元素混入上述第一半導體層而形成的層。

在本發明的特征的太陽能電池的制造方法中，上述復合層，可以是微晶半導體層，上述第一半導體層和上述第二半導體層是非晶質半導體層。

在本發明的特征的太陽能電池的制造方法中，上述復合層的厚度可以為1～10nm。

根據本發明，能夠提供能抑制載流子的復合的太陽能電池的制造方法。

附圖說明

[圖1]圖1是涉及本發明第一實施方式的太陽能電池100的背面側的平面圖。

[圖2]圖2是圖1的A-A線的擴大截面圖。

[圖3]圖3是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的附圖。

[圖4]圖4是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的附圖。

[圖5]圖5是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的附圖。

[圖6]圖6是用于說明本發明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的附圖。

[圖7]圖7是用于說明本發明的第二實施方式的太陽能電池100的擴大截面圖。

[圖8]圖8是用于說明本發明的第二實施方式的太陽能電池10的制造方法的附圖。

[圖9]圖9是用于說明本發明的第二實施方式的太陽能電池10的制造方法的附圖。

[圖10]圖10是用于說明本發明的第二實施方式的太陽能電池10的制造方法的附圖。