[發明專利]太陽能電池的制造方法

無效

• 申請號: 201080009223.4
• 申請日: 2010-02-26
• 公開（公告）號: CN102334192A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 高濱豪;小野雅義;森博幸;村上洋平
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，具備：

在半導體基板的一個主面的第一區域上，形成具有第一導電型的第一半導體層的工序A；

清洗所述一個主面的第二區域的工序B；和

從所述一個主面的所述第二區域上至所述第一半導體層上，形成具有第二導電型的第二半導體層的工序C。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：

所述工序A含有：在所述一個主面的大致整個面，形成具有所述第一導電型的第三半導體層的工序；

用抗蝕劑膜覆蓋在所述第三半導體層之中形成在所述第一區域上的部分的工序；

除去在所述第三半導體層之中從所述抗蝕劑膜露出的部分的工序；和

除去所述抗蝕劑膜的工序。

3.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：

在所述工序A和所述工序B之間，還具備在所述第一半導體層上形成復合層的工序，

在所述工序C中，從所述第二區域上至所述復合層上，形成所述第二半導體層。

4.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：

所述半導體基板具有第一導電型。

5.如權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：

所述復合層是具有第一導電型的半導體層，

所述半導體層含有的第一導電型的雜質的量，比所述第一半導體層含有的第一導電型的雜質的量多。

6.如權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：

所述復合層是將異種元素混入所述第一半導體層而形成的層。

7.如權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：

所述復合層是微晶半導體層，

所述第一半導體層和所述第二半導體層是非晶質半導體層。

8.如權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：

所述復合層的厚度為1～10nm。