[發明專利]導電性基板有效
| 申請號: | 201080008731.0 | 申請日: | 2010-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN102326460A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 喜直信;北條美貴子 | 申請(專利權)人: | 大日本印刷株式會社 |
| 主分類號: | H05K3/12 | 分類號: | H05K3/12;H01B5/14;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/38 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 張寶榮 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電性 | ||
技術領域
本發明涉及導電性基板,進一步詳細地說,涉及在基材上將含有金屬或金屬氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷層,并對該印刷層進行燒成處理形成金屬微粒燒結膜而成的導電性基板及該導電性基板的制造方法。
背景技術
一直以來,作為柔版印刷布線板等使用的是,在用聚酰亞胺樹脂形成的基材上形成有電路圖案的布線板。作為形成這樣的電路圖案的方法,至今使用的是如下的方法:在貼合有金屬箔的基材上涂布光致抗蝕劑等,曝光成所期望的電路圖案,利用化學蝕刻形成圖案。
但是在該方法中,雖然由于可以使用金屬箔作為導電性的布線,所以可以制造體積電阻率減小、且高性能的導電性基板,但使用這樣的光刻技術的該方法有如下的缺點:不僅工序數較多、繁雜,而且需要使用光致抗蝕材料等。另外,在聚酰亞胺等的基材上利用銅等直接形成電路時,難以使其附著,對此以往采用的是如下的方法:在基材與電路的界面上形成賦予附著性的層,或者使被覆面粗糙來提高附著性。但是,如果形成附著層則存在導電性、絕緣性下降的問題,而在使被覆面粗糙的方法中存在由被覆界面的凹凸帶來的導電性下降的問題。
針對這些問題,有人提出了如下的技術:在聚酰亞胺樹脂上涂布堿水溶液,使聚酰亞胺樹脂的酰亞胺環開裂生成羧基,并使含有金屬離子的溶液與其接觸而生成金屬鹽,通過還原反應得到金屬薄膜(參照專利文獻1的權利要求書)。于是,金屬處于被包埋在聚酰亞胺樹脂的表層部內的狀態,利用錨固鎖定效果,可得到附著性高的薄膜(參照專利文獻1的段落0049)。
但是,在該方法中,由于銅在聚酰亞胺中移動,所以布線會短路,或者因界面的凹凸增大,存在電可靠性降低的問題。
另外,有人提出了由形成于絕緣基板上的絕緣樹脂層、和形成于絕緣樹脂層上的金屬薄膜層形成的層疊體,其中在絕緣樹脂層和金屬薄膜層的接觸界面存在金屬氧化物(參照專利文獻2的權利要求書)。專利文獻2中提到,金屬氧化物可使絕緣樹脂層和金屬薄膜層的粘接強度增大(參照專利文獻2的段落0020)。
然而,專利文獻2公開的層疊體中,金屬氧化物層尤其是氧化銅的層不耐強酸,可預測到利用電解銅鍍敷法使布線厚膜化時,金屬氧化物層會發生溶解,附著性下降。
專利文獻1:日本特開2005-45236號公報
專利文獻2:日本特開2008-200875號公報
發明內容
發明要解決的問題
本發明是在這種狀況下完成的,其目的在于提供一種在聚酰亞胺等的基材上形成有銅布線等金屬微粒燒結膜的、金屬微粒燒結膜與基材的附著性高、且具有優異的導電性的導電性基板及該導電性基板的制造方法。
用于解決技術問題的方案
本發明人等為了實現上述目的而反復進行了精心研究,結果發現,如果使用在基板上印刷金屬等微粒并使粒子彼此燒結來形成薄膜的技術,就能夠在基材上直接形成金屬薄膜。另一方面,發現即便使用該技術,也存在基材與金屬薄膜的界面的附著性下降的問題,其原因為在燒結的同時由粒子之間的凝聚會引起顆粒生長,在與基板界面之間產生空隙。關于產生該空隙的問題,經進一步研究后發現,通過在由粒子之間的凝聚造成的顆粒生長開始之前用短時間進行燒結,使由X射線衍射結果得到的微晶直徑生長為25nm以上,由此形成在膜中、基材界面不產生空隙的結構,使基材與金屬薄膜的界面平滑,且得到高附著性。另外發現,在金屬薄膜中,未殘存有機物等的情況下可以得到更高的附著性。本發明是基于上述見解而完成的。
即,本發明提供一種導電性基板,其為在基材上將含有金屬或金屬氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷層,并對該印刷層進行燒成(firing)處理形成金屬微粒燒結膜而成的導電性基板,上述金屬微粒燒結膜中的利用X射線衍射測定的微晶直徑為25nm以上,且上述金屬微粒燒結膜的截面的空隙率為1%以下。
發明的效果
根據本發明,可以提供一種在聚酰亞胺等基材上形成有銅布線等圖案狀的金屬微粒燒結膜的、金屬微粒燒結膜與基材的附著性高且具有優異的導電性的導電性基板。
附圖說明
圖1為實施例1所述的本發明的導電性基板的截面的掃描型電子顯微鏡照片。
圖2為比較例2所述的導電性基板的截面的掃描型電子顯微鏡照片。
圖3為實施例1所述的本發明的導電性基板的X射線結構衍射的結果。
圖4為進行實施例1所述的本發明的導電性基板的離子蝕刻深度方向元素分析的結果。
圖5為比較例2中制造的導電性基板的X射線結構衍射的結果。
具體實施方式
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