[發明專利]光盤裝置、光盤控制方法以及集成電路

有效

• 申請號: 201080008678.4
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102326199A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 中仙道剛;山岡勝;高木裕司;臼井誠
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: G11B7/0045
• 分類號: G11B7/0045;G11B7/005;G11B7/09;G11B19/02;G11B20/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種光盤裝置，對由凹凸坑記錄主信息的光盤，通過使形成在所述凹凸坑上的反射膜的反射率發生變化來追加寫入追記標記，其特征在于包括：

拾光器；

RF信號處理部，基于所述拾光器的輸出取得RF信號；

基準位置檢測部，解調所述RF信號并檢測基準位置信號；

旋轉速度控制部，將所述光盤的旋轉速度切換為至少兩種旋轉速度；

發光時機生成部，按照所述基準位置信號，在預先決定的位置生成從所述拾光器照射的激光的發光時機；

激光功率控制部，在所述發光時機增加從所述拾光器照射的激光的激光功率；

反射率變化量檢測部，從所述RF信號中檢測所述光盤的反射光的反射率變化量；

凹凸坑再生控制部，當再生形成在所述光盤上的所述凹凸坑時，對所述旋轉速度控制部設定第一旋轉速度，對所述激光功率控制部設定第一激光功率；以及

追記標記記錄控制部，當對所述光盤追加寫入所述追記標記時，對所述旋轉速度控制部設定低于所述第一旋轉速度并且也低于能夠再生所述凹凸坑的最低旋轉速度的第二旋轉速度，并且響應所述發光時機，對所述激光功率控制部設定大于所述第一激光功率的第二激光功率。

2.根據權利要求1所述的光盤裝置，其特征在于還包括：

追記標記檢測控制部，在檢測形成在所述光盤上的所述追記標記時，執行基于由所述反射率變化量檢測部檢測出的所述反射率變化量來檢測所述追記標記的控制。

3.根據權利要求1或2所述的光盤裝置，其特征在于：所述第二旋轉速度為所述最低旋轉速度的1/2以下。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：所述第二旋轉速度為所述第一旋轉速度的1/10以下。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：所述第二激光功率為所述第一激光功率的5倍以上且10倍以下。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的光盤裝置，其特征在于還包括：控制對所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，其中，

所述追蹤控制部以相位差檢測方式進行追蹤控制。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：所述激光以所述第二激光功率照射的發光區間為所述凹凸坑的最短坑長的10倍以上。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：所述基準位置檢測部至少利用PLL電路解調所述RF信號，在以所述第二激光功率照射激光時，暫停所述PLL電路的頻率比較功能或相位比較功能。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的光盤裝置，其特征在于還包括：控制對所述拾光器的追蹤的追蹤控制部，其中，

所述追蹤控制部，在以所述第二激光功率照射激光時，暫停追蹤控制。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：

所述凹凸坑包含同步碼，

在將所述同步碼間的距離設為1幀長時，激光以第二激光功率照射的發光區間的長度為1幀長以下，并且到下一個發光區間為止的間隔為3幀長以上。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：

所述凹凸坑包含同步碼，

在將所述同步碼間的距離設為1幀長時，激光以所述第二激光功率照射的發光區間的長度為所述凹凸坑的幀間隔的整數倍。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：

所述光盤上由所述凹凸坑記錄的所述主信息包含表示所述光盤內的物理位置的地址信息，

所述發光時機生成部生成所述發光時機，以便避開記錄有所述地址信息的區域來以所述第二激光功率照射所述激光。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的光盤裝置，其特征在于：

所述光盤上由所述凹凸坑記錄的所述主信息，以對一定單位的用戶數據附加糾錯信息的糾錯塊為單位構成，

所述追記標記記錄控制部，以所述糾錯塊為單位，控制由所述發光時機生成部生成的以所述第二激光功率發光的發光區間。

14.根據權利要求13所述的光盤裝置，其特征在于：由所述發光時機生成部生成的以所述第二激光功率發出激光的發光區間為所述糾錯塊的單位長度的整數倍。