[發明專利]Cu膜的成膜方法和存儲介質

無效

• 申請號: 201080008289.1
• 申請日: 2010-01-28
• 公開（公告）號: CN102341525A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 小島康彥;檜皮賢治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：

在處理容器內收納基板的工序；

在所述處理容器內以氣體狀態導入1價Cuβ二酮配位化合物和還原該1價Cuβ二酮配位化合物的還原劑的工序；和

在基板上通過所述還原劑還原所述1價Cuβ二酮配位化合物，通過CVD法在基板上沉積Cu，形成Cu膜的工序。

2.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述還原劑為NH₃。

3.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述還原劑為還原性Si化合物。

4.如權利要求3所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述還原性Si化合物為二乙基硅烷類化合物。

5.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述還原劑為羧酸。

6.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述1價Cuβ-二酮配位化合物為六氟乙酰丙酮-三甲基乙烯基硅烷銅(Cu(hfac)TMVS)。

7.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

對所述處理容器內同時供給所述1價Cuβ-二酮配位化合物和所述還原劑，形成Cu膜。

8.如權利要求7所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述還原劑在成膜初期以第1流量供給，之后以小于第1流量的?第2流量供給或者停止供給。

9.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述1價Cuβ-二酮配位化合物和所述還原劑隔著清掃氣體交替供給。

10.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

作為所述基板，使用在表面上具有通過CVD法形成有Ru膜的基板，在所述Ru膜上形成Cu膜。

11.如權利要求10所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Ru膜是使用Ru₃(CO)₁₂作為成膜原料形成的膜。

12.如權利要求10所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Ru膜作為防擴散膜的全部或一部分使用。

13.如權利要求12所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述防擴散膜中，作為所述Ru膜的下層，具有高熔點材料膜。

14.如權利要求13所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述高熔點材料膜由Ta、TaN、Ti、W、TiN、WN和氧化錳中的任一種構成。

15.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

作為配線材料使用所得到的Cu膜。

16.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

作為鍍Cu的晶種膜使用所得到Cu膜。

17.一種存儲介質，存儲在計算機上運行、用于控制成膜裝置的程序，其特征在于：

所述程序在執行時，在計算機中控制所述成膜裝置，使其執行Cu?膜的成膜方法，所述成膜方法包括：在處理容器內收納基板的工序；在所述處理容器內以氣體狀態導入1價Cuβ二酮配位化合物和還原該1價Cuβ二酮配位化合物的還原劑的工序；在基板上通過所述還原劑還原所述1價Cuβ二酮配位化合物，通過CVD法在基板上沉積Cu，形成Cu膜的工序。?