[發明專利]形成電活性層的方法有效
| 申請號: | 201080008017.1 | 申請日: | 2010-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN102318040A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | R·J·切斯特菲爾德;J·巴特勒;P·A·桑特 | 申請(專利權)人: | E.I.內穆爾杜邦公司 |
| 主分類號: | H01L21/208 | 分類號: | H01L21/208;H01L51/05 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 活性 方法 | ||
相關專利申請
本專利申請根據35?U.S.C.§119(e),要求2009年3月6日提交的臨時申請No.61/158,094的優先權,所述文獻全文以引用方式并入。
背景信息
公開領域
本公開一般來講涉及形成電活性層的方法。它進一步涉及具有由所述方法制得的至少一個電活性層的電子器件。
相關領域說明
電子器件可包括液晶顯示器(“LCD”)、有機發光二極管(OLED)顯示器、薄膜晶體管(TFT)陣列、太陽能電池等。電子器件的制造可使用溶液沉積技術來進行。一種制備電子器件的工藝為通過印刷(例如,噴墨印刷、連續印刷等)將有機層沉積到基底上。在印刷工藝中,被印刷的液體組合物包括溶液、分散體、乳液、或具有有機溶劑、具有含水溶劑或具有組合溶劑的懸浮液中的有機材料。在印刷之后,一種或多種溶劑被蒸發掉并且有機材料保留下來以形成電子器件的有機層。
持續需要能獲得具有改善性能的裝置的沉積方法。
發明概述
本發明提供了用于形成電活性材料層的方法。所述方法包括:
提供具有至少一個主動區域的工件;
將包含電活性材料的液體組合物沉積到主動區域內的工件上,以形成濕層;
在-25℃至80℃范圍內的受控溫度下在10-6托至1,000托范圍內的真空下,將工件上的濕層處理1-100分鐘第一時段,以形成部分干燥的層;
將部分干燥的層加熱至100℃以上的溫度持續1-50分鐘第二時段,以形成干燥層,其中所述干燥層在所述主動區域中具有基本上平的輪廓。
還提供了具有至少一個主動區域的電子器件,所述主動區域包含陽極、陰極、和介于其間的至少一個電活性層,其中所述電活性層是通過液相沉積形成的并且在主動區域中具有基本上平的輪廓。
以上綜述以及以下發明詳述僅出于示例性和說明性的目的,而不是對本發明進行限制,本發明受所附權利要求的限定。
附圖簡述
附圖中示出了實施方案,以增進對本文所述概念的理解。
圖1包括具有非均勻膜厚度的干燥電活性膜的圖示。
圖2包括具有基本上平的輪廓的干燥電活性膜的圖示。
圖3包括示例性電子器件的圖示。
圖4包括來自實施例1的層厚度圖。
圖5包括來自實施例2的層厚度圖。
圖6包括來自比較實施例A的層厚度圖。
技術人員理解,附圖中的物體是以簡潔明了的方式示出的并且不一定按比例繪制。例如,圖中一些物體的尺寸相對于其他物體可能有所放大,以便于更好地理解實施方案。
發明詳述
許多方面和實施方案已在上文進行了描述,并且僅是示例性而非限制性的。在讀完本說明書后,技術人員應認識到,在不脫離本發明范圍的情況下,其他方面和實施方案也是可能的。
通過閱讀以下的發明詳述和權利要求,任何一個或多個實施方案的其他特征和有益效果將變得顯而易見。發明詳述首先著重于定義和闡明術語,接著描述方法、電子器件,最后描述實施例。
1.術語的定義和闡明
在提出下述實施方案詳情之前,先定義或闡明一些術語。
術語“孔徑比”是指供發射或響應輻射的像素面積與所述像素總面積的比例。
當涉及層、材料、構件或結構時,術語“電荷傳輸”是指此層、材料、構件或結構相對有效率且少電荷損耗地促進該電荷遷移通過該層、材料、構件或結構的厚度?!翱昭▊鬏敗笔侵刚姾傻碾姾蓚鬏??!半娮觽鬏敗笔侵肛撾姾傻碾姾蓚鬏?。雖然發光材料也可具有某些電荷傳輸特性,但術語“電荷傳輸層、材料、構件、或結構”并不旨在包括其主要功能為發光的層、材料、構件、或結構。
涉及層或材料時,術語“電活性”旨在表示電性促進器件運作的層或材料?;钚圆牧系膶嵗ǖ幌抻趥鲗?、注入、傳輸或阻擋電荷的材料,其中電荷可為電子或空穴,或發射輻射或當接收輻射時呈現出電子-空穴對的濃度變化的材料。非活性材料的實例包括但不限于平面化材料、絕緣材料、以及環境防護材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于E.I.內穆爾杜邦公司,未經E.I.內穆爾杜邦公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





