[發(fā)明專(zhuān)利]形成電活性層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080008017.1
• 申請(qǐng)日: 2010-03-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102318040A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·J·切斯特菲爾德;J·巴特勒;P·A·桑特
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: E.I.內(nèi)穆?tīng)柖虐罟?/a>
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/208
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/208;H01L51/05
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明

1.形成電活性材料層的方法，所述方法包括：

提供具有至少一個(gè)主動(dòng)區(qū)域的工件；

將包含所述電活性材料的液體組合物沉積到所述主動(dòng)區(qū)域內(nèi)的工件上，以形成濕層；

在-25至80℃范圍內(nèi)的受控溫度下在10^-6托至1,000托范圍內(nèi)的真空下，將所述工件上的濕層處理1-100分鐘第一時(shí)段，以形成部分干燥的層；

將所述部分干燥的層加熱至100℃以上的溫度持續(xù)1-50分鐘第二時(shí)段，以形成干燥層，

其中所述干燥層在所述主動(dòng)區(qū)域中具有基本上平的輪廓。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述干燥層在90％以上的所述主動(dòng)區(qū)域具有小于+/-10％的厚度變化。

3.權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)選自噴墨印刷和連續(xù)噴涂的技術(shù)來(lái)沉積所述液體組合物。

4.權(quán)利要求1的方法，其中所述工件具有多個(gè)主動(dòng)區(qū)域。

5.權(quán)利要求4的方法，其中所述電活性材料包含基質(zhì)材料和對(duì)應(yīng)于第一顏色的光敏性客體材料，并且所述液體組合物被沉積在所述主動(dòng)區(qū)域的第一部分中。

6.權(quán)利要求5的方法，其中將第二液體組合物沉積在所述主動(dòng)區(qū)域的第二部分中，所述第二液體組合物包含第二基質(zhì)材料和對(duì)應(yīng)于第二顏色的第二光敏性客體材料。

7.權(quán)利要求6的方法，其中將第三液體組合物沉積在所述主動(dòng)區(qū)域的第三部分中，所述第三液體組合物包含第三基質(zhì)材料和對(duì)應(yīng)于第三顏色的第三光敏性客體材料。

8.權(quán)利要求1的方法，其中所述電活性材料基本上由空穴注入材料構(gòu)成。

9.權(quán)利要求1的方法，其中所述電活性材料基本上由空穴傳輸材料構(gòu)成。

10.權(quán)利要求1的方法，其中在20-80℃范圍內(nèi)的溫度下在10^-2至10托范圍內(nèi)的壓力下，將所述工件上的濕層處理5-25分鐘時(shí)間。

11.權(quán)利要求1的方法，其中在30-60℃范圍內(nèi)的溫度下在10^-2至1托范圍內(nèi)的壓力下，將所述工件上的濕層處理5-15分鐘時(shí)間。

12.權(quán)利要求1的方法，其中在-25至10℃范圍內(nèi)的溫度下在1至1000托范圍內(nèi)的壓力下，將所述工件上的濕層處理5-25分鐘時(shí)間。

13.權(quán)利要求1的方法，其中在-10至0℃范圍內(nèi)的溫度下在10至100托范圍內(nèi)的壓力下，將所述工件上的濕層處理5-15分鐘時(shí)間。

14.權(quán)利要求1的方法，其中所述真空在10^-4至10^-6托的范圍內(nèi)。

15.權(quán)利要求14的方法，其中經(jīng)由泵施加所述真空，所述泵選自干真空泵、渦輪泵、轉(zhuǎn)葉真空泵、油擴(kuò)散泵、低溫泵、和吸附泵。

16.權(quán)利要求15的方法，其中所述泵為渦輪分子泵。

17.具有至少一個(gè)主動(dòng)區(qū)域的電子器件，所述主動(dòng)區(qū)域包含陽(yáng)極、陰極、和介于其間的電活性層，其中所述電活性層是通過(guò)液相沉積形成的并且具有基本上平的輪廓。

18.權(quán)利要求17的器件，其中所述電活性層為光敏層。

19.權(quán)利要求18的器件，其中所述電活性層為發(fā)光層。

20.權(quán)利要求17的器件，其中所述電活性層為空穴傳輸層。

21.權(quán)利要求17的器件，其中所述電活性層為空穴注入層。

22.權(quán)利要求17的器件，其中所述主動(dòng)區(qū)域被物理圍堵結(jié)構(gòu)分成子像素區(qū)域，并且所述電活性層位于所述子像素區(qū)域中。