[實用新型]化合物半導體加熱裝置無效
| 申請號: | 201020695061.1 | 申請日: | 2010-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN201933198U | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 周雅清 | 申請(專利權)人: | 樂山凱亞達光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/14 | 分類號: | C30B15/14 |
| 代理公司: | 成都中亞專利代理有限公司 51126 | 代理人: | 陳亞石 |
| 地址: | 614007 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化合物 半導體 加熱 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種化合物半導體加熱裝置。
背景技術
隨著工業經濟的飛速發展,化合物半導體逐漸被更為廣泛的應用,化合物半導體的制備工藝以及純度的要求也越來越高,而制備高純度化合物半導體的現有設備結構較為復雜,加熱裝置橫向、縱向溫度梯度變化巨大,加熱器內熱對流劇烈,爐溫溫場不穩定,使得在拉晶過程中,容易出現單晶變為多晶的情況。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術的不足,在此提供一種結構簡單、熱場均勻以及溫度穩定的化合物半導體加熱裝置。
本實用新型是這樣實現的,構造一種化合物半導體加熱裝置,包括有保溫壁,保溫壁上設置有保溫蓋,其特征在于:保溫壁內設置有石墨加熱器,在石墨加熱器內通過托碗設置有石英坩堝,托碗通過坩堝托桿支撐,保溫壁下設置有絕緣墊片,石墨加熱器的引腳與電極連接。
上述石墨加熱器為U型石墨加熱器。
本實用新型的優點在于:本發明采用石墨為加熱器,因為石墨具的電阻率較高,對電流的阻礙作用也較大,當給石墨通電時,會放出大量熱,它還具有高熔點3500℃、高沸點4827℃的特性,在惰性氣體保護下不會熔化、蒸發、反應。本發明的U型石墨加熱器的底部收窄、貼近坩堝托桿,下部通電發熱,具有更加均勻的熱場,使加熱裝置內溫場更穩定,原料受熱均勻。具有很強的推廣價值和應用價值。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖
圖中:1、保溫蓋,2、保溫壁,3、絕緣墊片,?4、電極,5、石墨加熱器,6、托碗,7、石英坩堝,8、坩堝托桿。
具體實施方式
為了克服現有技術的不足,本實用新型在此提供一種化合物半導體加熱裝置,如圖1所示:包括有起保溫作用的保溫壁2,保溫壁2上部設置有保溫蓋1。其中在保溫壁2內設置有石墨加熱器5,在石墨加熱器5內通過托碗6設置有石英坩堝7,托碗6通過坩堝托桿8支撐,在保溫壁2下還設置有絕緣墊片3,所述的石墨加熱器5下的引腳與電極4連接。
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