[實(shí)用新型]一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020684471.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201904535U | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 饒華斌;邱名武 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門三優(yōu)光機(jī)電科技開發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/022 | 分類號(hào): | H01S5/022 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
| 地址: | 361000 福建省廈*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 10 激光器 to 封裝 新型 陶瓷 | ||
1.一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,用于承載主芯片并實(shí)現(xiàn)主芯片與管腳之間的連接,其特征在于,包括陶瓷本體以及設(shè)置在陶瓷本體上的金屬鍍層,該金屬鍍層具有供主芯片設(shè)置的第一鍍層以及分別布設(shè)在第一鍍層周邊并分別供與激光器正極管腳、MPD正極管腳和激光器負(fù)極管腳經(jīng)金屬導(dǎo)線相連的第二鍍層、第三鍍層和第四鍍層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,其特征在于,該第一鍍層與第四鍍層之間還設(shè)置有對(duì)地匹配的薄膜電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,其特征在于,該金屬導(dǎo)線采用并排設(shè)置的兩條線。
4.如權(quán)利要求1所述的一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,其特征在于,該金屬導(dǎo)線采用的為金線。
5.如權(quán)利要求1所述的一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,其特征在于,該金屬鍍層為鍍金層。
6.如權(quán)利要求1所述的一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,其特征在于,該陶瓷本體采用的為氧化鋁陶瓷。
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