[實(shí)用新型]一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020684471.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201904535U | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 饒華斌;邱名武 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門(mén)三優(yōu)光機(jī)電科技開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/022 | 分類號(hào): | H01S5/022 |
| 代理公司: | 廈門(mén)市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
| 地址: | 361000 福建省廈*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 10 激光器 to 封裝 新型 陶瓷 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及光電子器件領(lǐng)域,更具體地說(shuō)涉及一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片。
背景技術(shù)
世界通信領(lǐng)域發(fā)展最快的是光纖通信技術(shù)與無(wú)線通信技術(shù),而半導(dǎo)體激光器是光纖通信用的主要光源,是光電子元器件的核心器件,其中10G半導(dǎo)體激光器更是超長(zhǎng)距離、超大容量光纖通信系統(tǒng)的關(guān)鍵器件。
如圖1所示,其為現(xiàn)有半導(dǎo)體激光器9的結(jié)構(gòu)示意圖,該半導(dǎo)體激光器9包括主芯片91以及作外部封裝用的管腳92和管座931,同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)光功率正常輸出以及對(duì)電流進(jìn)行監(jiān)控,該半導(dǎo)體激光器9還包括MPD(即Monitoring?Photodiode監(jiān)控光電二極管)94,該MPD94用于接收管座931上方分光片(圖中未示出)反射回來(lái)的光而起到反饋?zhàn)饔茫唧w的,該管座931上方還設(shè)置有陶瓷片932,該管座931為整個(gè)半導(dǎo)體激光器9的承載主體,該陶瓷片932則用于放置主芯片91和MPD,該主芯片91和MPD則直接通過(guò)金屬導(dǎo)線的方式而與管腳92相連。
但是,當(dāng)上述封裝結(jié)構(gòu)適用于10G半導(dǎo)體激光器9時(shí),此時(shí)前述金屬導(dǎo)線的方式會(huì)產(chǎn)生較大干擾,并使得高頻信號(hào)衰減,進(jìn)而使得高速信號(hào)無(wú)法正常的輸出。
有鑒于此,本發(fā)明人針對(duì)現(xiàn)有激光器9中的上述缺陷深入研究,遂有本案產(chǎn)生。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用在10G激光器時(shí)因高頻信號(hào)衰減而使得信號(hào)無(wú)法正常輸出的問(wèn)題。
為了達(dá)成上述目的,本實(shí)用新型的解決方案是:
一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,用于承載主芯片并實(shí)現(xiàn)主芯片與管腳之間的連接,其中,包括陶瓷本體以及設(shè)置在陶瓷本體上的金屬鍍層,該金屬鍍層具有供主芯片設(shè)置的第一鍍層以及分別布設(shè)在第一鍍層周邊并分別供與激光器正極管腳、MPD正極管腳和激光器負(fù)極管腳經(jīng)金屬導(dǎo)線相連的第二鍍層、第三鍍層和第四鍍層。
進(jìn)一步,該第一鍍層與第四鍍層之間還設(shè)置有對(duì)地匹配的薄膜電阻。
進(jìn)一步,該金屬導(dǎo)線采用并排設(shè)置的兩條線。
進(jìn)一步,該金屬導(dǎo)線采用的為金線。
進(jìn)一步,該金屬鍍層為鍍金層。
進(jìn)一步,該陶瓷本體采用的為氧化鋁陶瓷。
采用上述結(jié)構(gòu)后,本實(shí)用新型涉及的一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片,其由于增設(shè)有金屬鍍層,并且該金屬鍍層具有位于第一鍍層周邊的第二鍍層、第三鍍層和第四鍍層,由此從第二鍍層、第三鍍層和第四鍍層分別到激光器正極管腳、MPD正極管腳和激光器負(fù)極管腳之間距離得到了很大程度上的縮短,從而減少因金屬導(dǎo)線過(guò)長(zhǎng)而使得激光器的高頻信號(hào)衰減,進(jìn)而確保高頻信號(hào)能正常通過(guò)。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型涉及的一種用于10G激光器TO封裝的新型陶瓷片的立體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為圖2的俯視圖;
圖4為圖2中示出的新型陶瓷片應(yīng)用在半導(dǎo)體激光器中時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:
激光器?100?????????????????????????????主芯片?1
管腳?2?????????????????????????????????????激光器正極管腳?21
MPD正極管腳?22??????????????????激光器負(fù)極管腳?23
MPD?3??????????????????????????????????????陶瓷片?4
陶瓷本體?41???????????????????????????金屬鍍層?42
第一鍍層?421?????????????????????????第二鍍層?422
第三鍍層?423?????????????????????????第四鍍層?424
金屬導(dǎo)線?43???????????????????????????薄膜電阻?44
半導(dǎo)體激光器?9?????????????????????主芯片?91
管腳?92
管座?931?????????????????????????????????陶瓷片?932
MPD?94。
具體實(shí)施方式
為了進(jìn)一步解釋本實(shí)用新型的技術(shù)方案,下面通過(guò)具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)闡述。
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