[實用新型]一種大功率LED封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020652511.9
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN202003993U
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉
• 申請（專利權(quán)）人: 彩虹集團公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/56;H01L33/58
• 代理公司: 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215
• 代理人: 劉國智

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導體照明光源的封裝技術(shù)，尤其涉及一種大功率LED封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的單體大功率LED光源是由一個或者幾個芯片封裝而成，為了滿足LED大面積照明對發(fā)光強度的需求，采用傳統(tǒng)的單體大功率LED封裝結(jié)構(gòu)將使芯片功率做得很大，眾所周知，LED功率越大，其產(chǎn)生的熱量就越大，而單個大功率芯片工作時產(chǎn)生的熱量不容易散發(fā)，因此造成自身熱量的積聚，使芯片的工作溫度越來越高，導致光衰甚至死燈。為了利用大功率LED作大面積照明而達到所需要的亮度，照明燈具常采用多個大功率LED組合，這種方式在制作燈具時裝配繁瑣，提高了LED照明燈具的生產(chǎn)成本，且投射面積與光線均勻度不好控制，而為了達到所需的發(fā)光投射面積與光線均勻度，所須的光學透鏡設(shè)計相當復雜。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其具備良好的散熱效果，發(fā)光強度大，且結(jié)構(gòu)緊湊工藝簡單。

為了達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為：

一種大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷基板6，陶瓷基板6上表面內(nèi)嵌鍍銅片4，鍍銅片4上安裝LED芯片1，所有LED芯片1的正極通過金線2連接到正導電極3，所有LED芯片1的負極極通過金線2連接到負導電極7，所有LED芯片1和金線2位于一體化的灌封膠5內(nèi)部成型為封閉基體，封閉基體位于陶瓷基板6上表面。

所有LED芯片1通過灌封膠5定位，固化在陶瓷基板6的鍍銅片4上。

所述灌封膠5由硅膠和熒光粉混合制得。

所述正導電極3和負導電極7采用銅基鍍銀材料制作。

所有LED芯片1呈多行多列均勻分布。

本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點：

1)散熱效果好。

2)發(fā)光強度大。

3)結(jié)構(gòu)簡單便于工藝實現(xiàn)。

附圖說明

圖1為本實用新型的橫截面示意圖。

圖2為本實用新型的縱截面示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步詳細說明。

如圖1、圖2所示，本實用新型為一種大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷基板6，陶瓷基板6上表面內(nèi)嵌鍍銅片4，鍍銅片4上安裝LED芯片1，所有LED芯片1的正極通過金線2連接到正導電極3，所有LED芯片1的負極極通過金線2連接到負導電極7，所有LED芯片1和金線2位于一體化的灌封膠5內(nèi)部成型為封閉基體，封閉基體位于陶瓷基板6上表面。所有LED芯片1通過灌封膠5定位，固化在陶瓷基板6的鍍銅片4上。所述灌封膠5由硅膠和熒光粉混合制得。所述正導電極3和負導電極7采用銅基鍍銀材料制作。所有LED芯片1呈多行多列均勻分布。

本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)后，因為陶瓷基板上的鍍銅片和正、負導電極均采用銅基鍍銀材料制作，LED芯片通過和銅基鍍銀的金屬片完全接觸，而且此鍍銅片完全嵌入陶瓷基板散熱塊上，這樣，LED芯片產(chǎn)生的熱量通過鍍銅片傳導至陶瓷基板散熱塊，再由散熱塊將熱量傳導空間，同時，陶瓷基板的面積和熱容量都是精確計算確定的，使其散熱效果與LED芯片功率相匹配，所以本發(fā)明的散熱效率高散熱效果好。另外，可以根據(jù)使用需要集成不同數(shù)量的LED芯片，生產(chǎn)發(fā)光強度不同的多規(guī)格LED燈。與傳統(tǒng)照明燈具相比，本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊、工藝簡單、使用方便，特別是利用本發(fā)明裝配燈具時，其中的光學透鏡設(shè)計、發(fā)光角度、投射面積和光的均勻度更容易調(diào)整控制。