[實用新型]刻蝕機臺的晶圓承載腔室

無效

• 申請號: 201020645475.3
• 申請日: 2010-12-07
• 公開（公告）號: CN201883148U
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 潘敬楨;楊利
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: C23F1/08
• 分類號: C23F1/08;C23F1/12
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

技術領域

本實用新型涉及一種刻蝕機臺，具體涉及一種刻蝕機臺的晶圓承載腔室。

背景技術

現有的刻蝕機臺的晶圓承載腔室(Loadlock)為普通的鋁制材料，其工作環境為25～30℃的室溫。晶圓承載腔室用于Poly?Etch(聚乙烯刻蝕)工藝，在刻蝕過程中會使用到溴化氫(HBr)氣體。在工藝結束后，殘留的溴化氫氣體會隨工藝完成的晶圓停留在Loadlock腔室中。

根據溴化氫的化學性質得知，溴化氫在常溫常壓下是一種腐蝕性的有毒氣體，有窒息性的氣味，呈酸性。根據溴化氫的安定性和反應性得知，溴化氫在活性金屬表面的催化下會慢慢分解為氫氣和溴；如果有潮氣，溴化氫會快速腐蝕除銀、鉑和鉭以外的大多數金屬。

因此，如果長期使少量殘留的溴化氫積聚在常溫常濕環境下的Loadlock腔室內，會逐漸腐蝕鋁制的腔壁，從而導致缺陷的產生甚至報廢產品。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種刻蝕機臺的晶圓承載腔室，它可以避免晶圓承載腔室的內壁被溴化氫腐蝕。

為解決上述技術問題，本實用新型刻蝕機臺的晶圓承載腔室的技術解決方案為：

包括承載腔室，所述承載腔室的外壁加裝有加熱帶，所述加熱帶具有溫控作用。

所述加熱帶的溫度設定為50℃。

所述加熱帶與所述承載腔室的外壁固定連接。

本實用新型可以達到的技術效果是：

本實用新型在晶圓承載腔室的外壁加裝有加熱帶，能夠保持晶圓承載腔室的內腔高溫干燥，避免溴化氫在常溫常濕的條件下腐蝕腔室的內壁，從而減少缺陷的產生。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明：

圖1是本實用新型刻蝕機臺的晶圓承載腔室的加熱帶的示意圖。

具體實施方式

本實用新型刻蝕機臺的晶圓承載腔室，包括晶圓承載腔室，晶圓承載腔室的外壁加裝有如圖1所示的加熱帶，加熱帶具有溫控作用；

加熱帶為貼片式控溫加熱帶，加熱帶與晶圓承載腔室的外壁固定連接；

加熱帶的溫度設定為50℃。