[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020635689.2
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN201898328U
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周云福
• 申請（專利權(quán)）人: 百圳君耀電子(深圳)有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 深圳市智科友專利商標(biāo)事務(wù)所 44241
• 代理人: 孫子才

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電路中的浪涌保護(hù)領(lǐng)域，特別涉及信號工作電壓低傳輸速率高的電路中使用的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)單獨(dú)的采用硅材料所制作的低電壓半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，電容值都在上百皮法甚至上好幾千皮法以上，由于寄生電容值大，若應(yīng)用在高頻數(shù)據(jù)通迅線路路中是很容易對數(shù)據(jù)線路的信號傳輸起到信號衰減作用，致使設(shè)備無法進(jìn)行正常的信號傳輸工作，因而也就很難直接應(yīng)用在高頻數(shù)據(jù)通迅線路中來起過電壓浪涌保護(hù)作用；而若采用較高電壓的半導(dǎo)體保護(hù)器件，雖可起到讓電容值大大降低的可能性，但在過電浪涌防護(hù)時(shí)，由于動作起保護(hù)作用時(shí)所產(chǎn)生的安全電全值大大超過被保護(hù)電路的安全耐壓水平而致使后級電路受到損傷而沒起到保護(hù)作用。

由于現(xiàn)在通迅產(chǎn)品，信號工作電壓越來越低、傳輸速率越來越高，自我防護(hù)能力表現(xiàn)越來越脆弱，常易受靜電、人為操作浪涌過電壓、雷擊浪涌過電壓受損，因而要有一種低電壓而且具有極低電容值的半導(dǎo)體保護(hù)器件來起保護(hù)作用優(yōu)為重要。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種低壓低電容值的過電壓浪涌半導(dǎo)體保護(hù)器件應(yīng)用于高頻通迅線路中起過電壓浪涌保護(hù)作用。

本實(shí)用新型為了實(shí)現(xiàn)其技術(shù)目的所采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，包括殼體和從殼體伸出的第一引腳和第二引腳；在所述的殼體內(nèi)設(shè)置有由電壓抑制型材料組成的電壓抑制器和由降容二極管材料組成的降容器，所述的電壓抑制器和降容器電連接，電壓抑制器和降容器的另外一端分別與第一引腳和第二引腳電連接。

進(jìn)一步的，上述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件中：所述的電壓抑制器為電壓抑制二級管或者穩(wěn)壓管。

更進(jìn)一步的，上述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件中：所述的電壓抑制二級管為瞬態(tài)電壓抑制二級管。可以是單向瞬態(tài)電壓抑制二級管。也可以是雙向瞬態(tài)電壓抑制二級管。

更進(jìn)一步的，上述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件中：所述的電壓抑制器為晶閘管電涌限制器。所述的降容器為低電容硅二極管芯片。

本實(shí)用新型所述的一種半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件，是一種低電壓寄生電容值極低，過電保護(hù)響應(yīng)速度極快，抑制過電壓能力極強(qiáng)，安全保護(hù)電壓水平極高，能在高頻數(shù)據(jù)通迅線路中起過電保護(hù)的一種理想的半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件示意圖(一)；

圖2為本實(shí)用新型半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件示意圖(二)；

圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件示意圖(三)；

圖中：1、殼體，2、第一引腳，3、第二引腳、4、電壓抑制器，5、降容器。

具體實(shí)施方式：

實(shí)施例1如圖1所示，本實(shí)施例是一種低壓低電容值的過電壓浪涌半導(dǎo)體保護(hù)器件，包括殼體1有時(shí)也稱保護(hù)器本體，和從殼體1伸出的第一引腳2和第二引腳3；在所述的殼體1內(nèi)設(shè)置有由電壓抑制型材料組成的電壓抑制器4和由降容二極管材料組成的降容器5，所述的電壓抑制器4和降容器5電連接，電壓抑制器4和降容器5的另外一端分別與第一引腳2和第二引腳3電連接。本實(shí)施例中電壓抑制器4和降容器5通過打?qū)щ娋€或焊料或可焊的導(dǎo)體進(jìn)行連接，外面用樹脂固化而露出可焊接的端電極即第一引腳2和第二引腳3。

本實(shí)施例中，電壓抑制型材料的電壓抑制器4為具有限壓特性或開關(guān)特性并具有非線性特征的硅材料，為限壓或開關(guān)特性的非線性材料是為對過電壓比較敏感且具有較強(qiáng)抑制電壓能力的瞬態(tài)電壓抑制二級管(TVS)，也可以使用晶閘管電涌限制器(TSS)、穩(wěn)壓管等其它硅芯片。降容二極管材料組成的降容器5為具有較低電容值且具有正向?qū)ǚ聪蚪刂构δ艿牡碗娙莨瓒O管芯片。如圖1所示，本實(shí)施例中瞬態(tài)電壓抑制二級管TVS采用雙向的TVS，其一端接本實(shí)施例的浪涌保護(hù)器殼體1上的第一引腳2，另一端與由兩個(gè)降容硅二極管芯片反向并聯(lián)后的端連接，兩個(gè)降容硅二極管芯片反向并聯(lián)后的另一端浪涌保護(hù)器殼體1上的第二引腳3。本實(shí)施例采用雙向電壓抑制型材料與分立型的降容二極管材料結(jié)合，而達(dá)到低電壓低電容低殘壓高可靠性的雙向過電壓浪涌保護(hù)功能。

實(shí)施例2，如圖2所示，該實(shí)施例與實(shí)施例1相比主要差別是本實(shí)施例使用的是單向TVS和一個(gè)降容硅二極管芯串連后與第一引腳2和第二引腳3電連接。本實(shí)施例采用單向電壓抑制型材料與分立型的降容二極管材料結(jié)合，而達(dá)到低電壓低電容低殘壓高可靠性的過電壓浪涌保護(hù)功能，噍一的缺點(diǎn)就是只能進(jìn)行單向保護(hù)。