[實用新型]一種半導體浪涌保護器件

有效

• 申請號: 201020635689.2
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN201898328U
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 周云福
• 申請（專利權）人: 百圳君耀電子(深圳)有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 深圳市智科友專利商標事務所 44241
• 代理人: 孫子才

1.一種半導體浪涌保護器件，包括殼體(1)和從殼體(1)伸出的第一引腳(2)和第二引腳(3)；其特征在于：在所述的殼體(1)內設置有由電壓抑制型材料組成的電壓抑制器(4)和由降容二極管材料組成的降容器(5)，所述的電壓抑制器(4)和降容器(5)電連接，電壓抑制器(4)和降容器(5)的另外一端分別與第一引腳(2)和第二引腳(3)電連接。

2.根據權利要求1所述的一種半導體浪涌保護器件，其特征在于：所述的電壓抑制器(4)為電壓抑制二級管。

3.根據權利要求2所述的一種半導體浪涌保護器件，其特征在于：所述的電壓抑制二級管為瞬態電壓抑制二級管(TVS)。

4.根據權利要求3所述的一種半導體浪涌保護器件，其特征在于：所述的瞬態電壓抑制二級管為單向瞬態電壓抑制二級管。

5.根據權利要求3所述的一種半導體浪涌保護器件，其特征在于：所述的瞬態電壓抑制二級管為雙向瞬態電壓抑制二級管。

6.根據權利要求1所述的一種半導體浪涌保護器件，其特征在于：所述的電壓抑制器(4)為晶閘管電涌限制器(TSS)。

7.根據權利要求1所述的一種半導體浪涌保護器件，其特征在于：所述的電壓抑制器(4)為穩壓管。

8.根據權利要求1所述的一種半導體浪涌保護器件，其特征在于：所述的降容器(5)為低電容硅二極管芯片。