[實用新型]三五族太陽能電池結構無效
| 申請號： | 201020630891.6 | 申請日： | 2010-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN201936891U | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發明（設計）人： | 張一熙;劉吉人 | 申請（專利權）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04;H01L31/0328 |
| 代理公司： | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王偉鋒 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三五 太陽能電池 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種三五族太陽能電池結構，其特征在于，包含有：
一基板；
一第一型非晶硅層，設置于該基板上；
一本質型非晶硅層，設置于該第一型非晶硅層上；
一第二型非晶硅層，設置于該本質型非晶硅層上；及
一三五族的多晶半導體層，設置于該第二型非晶硅層上。
2.如權利要求1所述的三五族太陽能電池結構，其特征在于，該基板的材質為玻璃、石英、透明塑膠、藍寶石基板或可撓性材料。
3.如權利要求1所述的三五族太陽能電池結構，其特征在于，該第一型非晶硅層為P型半導體，該第二型非晶硅層為N型半導體；或該第一型非晶硅層為N型半導體，該第二型非晶硅層為P型半導體。
4.如權利要求1所述的三五族太陽能電池結構，其特征在于，該三五族的多晶半導體層為單接面結構或多接面結構。
5.如權利要求1所述的三五族太陽能電池結構，其特征在于，該三五族的多晶半導體層的材質選自于砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化鋁鎵、砷化鎵銦、磷化鋁鎵、磷化鎵銦、砷磷化鋁鎵、砷磷化銦鎵、砷磷化鋁鎵銦中的一種。
6.如權利要求1所述的三五族太陽能電池結構，其特征在于，該三五族的多晶半導體層的材質選自氮化鎵、氮化銦、鋁化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化鋁銦鎵中的一種。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
