[實用新型]三五族太陽能電池結構無效
| 申請號: | 201020630891.6 | 申請日: | 2010-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN201936891U | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 張一熙;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04;H01L31/0328 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒 |
| 地址: | 201707 上海市青*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三五 太陽能電池 結構 | ||
技術領域
本實用新型有關一種太陽能電池,特別是指一種利用非晶硅與三五族材質同時進行光能轉換的三五族太陽能電池結構。
背景技術
高油價時代來臨及國際各國對于環保與氣候暖化的關注,促使綠色能源產業快速成長,目前在全球的規模已達到數十億美元。綠色能源又稱為潔凈能源(包括水資源、太陽能、風能、地熱、清潔煤等),舉凡對環境有利的產業都包括在綠能的定義中。而隨著節能、低碳議題發燙,其中又以太陽能電池最受到矚目,太陽能電池具有使用方便、取之不盡、用之不竭、無廢棄物、無污染、無轉動部份、無噪音、可阻隔輻射熱、使用壽命長、尺寸可隨意變化、并與建筑物作結合及普及化等優點。尤其臺灣多數地區日照非常充足,因此相當適合推廣太陽能發電的應用及產業發展。
然而,目前太陽能電池仍舊尚未普及化,主要原因在于成本昂貴,并非一般家庭所能負擔。除了組件制造成本較高外,因為轉換效率過低,導致于整體回收時間過長也是相當大的原因。目前市面上的太陽能電池,一般轉換效率僅約15%~18%,部份強調高效能的太陽能電池產品則號稱可達22%以上。不論如何,整體效能仍舊偏低。
盡管市面上有發表許多高效能訴求的太陽能電池,然而,卻因為采用特殊的技術或是材質,也導致成本、費用更加昂貴,回收時間、效率不減反增;因此,如何在成本控制得宜下,有效提高轉換效能乃是目前最需要面對的重要課題。
發明內容
鑒于以上的問題,本實用新型的主要目的在于提供一種三五族太陽能電池結構,可同時藉由非晶硅與三五族材質同時進行光能轉換,有效提升光電轉換?效率,而可大體上解決先前技術存在的缺失。
因此,為達上述目的,本實用新型所揭露的三五族太陽能電池,包含有基板、第一型非晶硅層、本質型非晶硅層、第二型非晶硅層、以及三五族的多晶半導體層。利用非晶硅層本身晶格的特性,使三五族的多晶半導體層可設置于非晶硅層上,同時,通過三五族的材質本身具有直接能隙,因此,可通過非晶硅與三五族材質同時進行光能轉換,有效提升轉換效率,且成本可獲得適當控制,使太陽能電池的回收周期減少,進一步提高產業競爭力。
為了達到上述目的,本實用新型提供了一種三五族太陽能電池結構,包含有:
一基板;
一第一型非晶硅層,設置于該基板上;
一本質型非晶硅層,設置于該第一型非晶硅層上;
一第二型非晶硅層,設置于該本質型非晶硅層上;及
一三五族的多晶半導體層,設置于該第二型非晶硅層上。
實施時,該基板的材質選自玻璃、石英、透明塑膠、藍寶石基板及可撓性材料的群組組合。
實施時,該第一型非晶硅層為P型半導體,該第二型非晶硅層為N型半導體;或該第一型非晶硅層為N型半導體,該第二型非晶硅層為P型半導體。
實施時,該P型半導體的材質選自于銅鋁氧化物、銅鎵氧化物、銅鈧氧化物、銅鉻氧化物、銅銦氧化物、銅釔氧化物、銀銦氧化物的透明導電氧化物的群組組合。
實施時,該N型半導體的材質選自于氧化鋅、氧化錫、氧化銦鋅、氧化銦錫的透明導電氧化物的群組組合。
實施時,該三五族的多晶半導體層為單接面結構或多接面結構。
實施時,該三五族的多晶半導體層的材質選自于砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化鋁鎵、砷化鎵銦、磷化鋁鎵、磷化鎵銦、砷磷化鋁鎵、砷磷化銦鎵、砷磷化鋁鎵銦中的一種或群組組合。
實施時,該三五族的多晶半導體層的材質選自氮化鎵、氮化銦、鋁化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化鋁銦鎵中的一種或群組組合。
與現有技術相比,本實用新型所述的三五族太陽能電池結構,特別是指一種利用非晶硅與三五族材質同時進行光能轉換。
為使對本實用新型的目的、特征及其功能有進一步的了解,茲配合圖式詳細說明如下:
附圖說明
圖1為本實用新型的三五族太陽能電池結構的示意圖。
附圖標記說明:11-基板;12-第一型非晶硅層;13-本質型非晶硅層;14-第二型非晶硅層;15-三五族的多晶半導體層。
具體實施方式
請參照圖1,繪示本實用新型所提供的三五族太陽能電池結構的示意圖。
根據本實用新型所揭露的三五族太陽能電池結構,包含有基板11、第一型非晶硅層12、本質型非晶硅層13、第二型非晶硅層14以及三五族的多晶半導體層15。
基板11的材質可為玻璃、石英、透明塑膠、藍寶石基板或可撓性材料等。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





