[實用新型]高效率太陽能電池

無效

• 申請號: 201020630844.1
• 申請日: 2010-11-24
• 公開（公告）號: CN201904350U
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 張一熙;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0392;H01L31/0328
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒

技術領域

本實用新型有關一種太陽能電池結構，特別是指一種使用三五族多晶半導體的高效率太陽能電池。

背景技術

有鑒于地球可用資源有限，為免資源耗盡，太陽能產業應運而生，太陽能為一種綠色環保的永續能源，開發太陽能電池以將光能儲存利用。太陽能電池透過吸收半導體中的光量或光子，從而激發電子使其足以驅動電路。目前使用的各式太陽能電池材料包括單晶硅、多晶硅、非晶硅等半導體種類或三五族、二六族的元素鏈結的材料。

三五族太陽能電池，又稱為聚光型太陽能電池，具有遠高于硅晶太陽能電池的轉換效率，同時也有薄膜電池的可撓性。三五族太陽能電池是以在三五族基板上，以化學氣相沉積法成長砷化鎵薄膜，所制成的薄膜太陽能電池結構，很早就應用在人造衛星的太陽能電池板上，具有可吸收光譜范圍極廣，轉換效率可高逾30％，且壽命較其他種類太陽能電池長，性質穩定的優點。三五族太陽能電池盡管不需要用到硅晶，晶片成本仍然相對高昂，是目前需要克服的問題。

因此，本實用新型即提出一種高效率太陽能電池，以克服上述該多個問題，具體架構及其實施方式將詳述于下。

發明內容

本實用新型的主要目的在于提供一種高效率太陽能電池，其使用透明基板取代現有技術的三五族基板，可大幅降低成本。

本實用新型的另一目的在于提供一種高效率太陽能電池，其使用價廉的透明基板，因此可將太陽能電池的面積增加，進而增加吸光面積，提升轉換效率。

為達上述的目的，本實用新型提供一種高效率太陽能電池，包括一透明基板；一非晶硅層，利用電漿輔助化學氣相沉積法形成于透明基板上；以及至少一三五族多晶半導體層，利用金屬有機化學氣相沉積法形成于非晶硅層上。

本實用新型提供了一種高效率太陽能電池，包括：

一透明基板；

一非晶硅層，形成于該透明基板上；以及

至少一三五族多晶半導體層，形成于該非晶硅層上。

實施時，該透明基板的材質為玻璃、石英、透明塑膠或單晶氧化鋁。

實施時，該非晶硅層利用電漿輔助化學氣相沉積法形成于該透明基板上。

實施時，該三五族多晶半導體層利用金屬有機化學氣相沉積法形成于該非晶硅層上。

實施時，該三五族多晶半導體層的材料為氮化銦、氮化銦鎵、砷化鋁、砷化鋁鎵或砷化鎵。

實施時，該三五族多晶半導體層為兩層時，包含一第一型半導體層及一第二型半導體層。

實施時，該第一型半導體層為P型多晶半導體時，該第二型半導體層為N+型多晶半導體；或該第一型半導體層為N+型多晶半導體時，該第二型半導體層為P型多晶半導體。

實施時，該三五族多晶半導體層為三層時，包含一第一型半導體層、一本質型半導體層及一第二型半導體層。

實施時，該第一型半導體層為P型多晶半導體時，該第二型半導體層為N+型多晶半導體；或該第一型半導體層為N+型多晶半導體時，該第二型半導體層為P型多晶半導體。

與現有技術相比，本實用新型所述的高效率太陽能電池，其使用透明基板取代現有技術的三五族基板，可大幅降低成本。

底下通過具體實施例詳加說明，當更容易了解本實用新型的目的、技術內容、特點及其所達成的功效。

附圖說明

圖1為本實用新型高效率太陽能電池的一實施例的剖視圖；

圖2為本實用新型高效率太陽能電池的另一實施例的剖視圖。

附圖標記說明：100、100’-太陽能電池結構；10-透明基板；12-非晶硅層；14、14’-三五族半導體層；142-第一型半導體層；144-第二型半導體層；146-本質型半導體層。

具體實施方式

本實用新型提供一種高效率太陽能電池，此太陽能電池可應用于建筑物的墻板、屋頂等處，接受陽光照射以吸收太陽能，并將其轉換成日常可用的電能。

請參考第一圖，其為本實用新型的太陽能電池結構100的示意圖，包括一透明基板10、一非晶硅層12及至少一三五族多晶半導體層14，其中非晶硅層12利用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，PECVD)形成于透明基板10上，而三五族多晶半導體層14利用金屬有機化學氣相沉積法(Metal-organic?Chemical?Vapor?Deposition，MOCVD)依序形成于非晶硅層12上。

透明基板10的材質為玻璃、石英、透明塑膠或單晶氧化鋁；三五族多晶半導體層14的材料為氮化銦、氮化銦鎵、砷化鋁、砷化鋁鎵或砷化鎵。