[實用新型]高效率太陽能電池無效
| 申請號： | 201020630844.1 | 申請日： | 2010-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN201904350U | 公開（公告）日： | 2011-07-20 |
| 發明（設計）人： | 張一熙;劉吉人 | 申請（專利權）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04;H01L31/0392;H01L31/0328 |
| 代理公司： | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王偉鋒 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高效率 太陽能電池 | ||
1.一種高效率太陽能電池，其特征在于，包括：
一透明基板；
一非晶硅層，形成于該透明基板上；以及
至少一三五族多晶半導體層，形成于該非晶硅層上。
2.如權利要求1所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該透明基板的材質為玻璃、石英、透明塑膠或單晶氧化鋁。
3.如權利要求1所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該非晶硅層利用電漿輔助化學氣相沉積法形成于該透明基板上。
4.如權利要求1所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該三五族多晶半導體層利用金屬有機化學氣相沉積法形成于該非晶硅層上。
5.如權利要求1所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該三五族多晶半導體層的材料為氮化銦、氮化銦鎵、砷化鋁、砷化鋁鎵或砷化鎵。
6.如權利要求1所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該三五族多晶半導體層為兩層時，包含一第一型半導體層及一第二型半導體層。
7.如權利要求6所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該第一型半導體層為P型多晶半導體時，該第二型半導體層為N+型多晶半導體；或該第一型半導體層為N+型多晶半導體時，該第二型半導體層為P型多晶半導體。
8.如權利要求1所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該三五族多晶半導體層為三層時，包含一第一型半導體層、一本質型半導體層及一第二型半導體層。
9.如權利要求8所述的高效率太陽能電池，其特征在于，該第一型半導體層為P型多晶半導體時，該第二型半導體層為N+型多晶半導體；或該第一型半導體層為N+型多晶半導體時，該第二型半導體層為P型多晶半導體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
