[實用新型]半導體制造中光刻套刻圖形的版圖結構無效
| 申請號: | 201020629793.0 | 申請日: | 2010-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN201955619U | 公開(公告)日: | 2011-08-31 |
| 發明(設計)人: | 周京英;張喆;陸佳琳;孫長江 | 申請(專利權)人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F1/14;H01L23/544 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁紀鐵 |
| 地址: | 201206 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 制造 光刻 圖形 版圖 結構 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體制造工藝中的版圖結構,特別涉及劃片槽區域的光刻套刻圖形的版圖結構。
背景技術
芯片的版圖設計是用于芯片制造中的。芯片版圖數據用于生產制造之前,將根據生產制造中的曝光范圍,按照該芯片尺寸大小進行重復排布。在芯片區域和芯片區域之間是劃片槽區域,該區域通常需放置光刻對準圖形(Alignment?Mark)和光刻套刻測量圖形(Overlay?Mark,見圖1)等制造過程中所需要用到的圖形。劃片槽區域的版圖設計可稱之為框架結構(Frame)設計。劃片槽圖形連同芯片版圖的排列(Array)排布組成了最終光刻掩模版上的有效曝光數據。
根據光刻工藝的測量需求,光刻套刻測量圖形的最小有效圖形寬度為40μm×40μm,且必須都放置在四周邊緣的劃片槽上。普通的劃片槽寬度在80μm及以上的Frame設計,光刻套刻測量標記可任意放置在邊緣劃片槽(只有內部劃片槽的一半寬度)上沒有問題。但隨著芯片尺寸的縮小,劃片槽寬度對于整體芯片面積有較明顯的影響,劃片槽寬度會希望縮小到50μm或60μm。邊緣的劃片槽有效寬度只有25μm或30μm。
因此,原先將光刻套刻標記任意放置在邊緣劃片槽的放置方法,就會導致光刻套刻圖形超出劃片槽區域(見圖2),造成圖形失效。因此,要實現小劃片槽的結構設計,必需解決光刻標記的放置問題。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種在半導體制造工藝中劃片槽區域的版圖結構,其解決了邊緣光刻標記的放置問題。
為解決上述技術問題,本發明的半導體制造中光刻套刻圖形的版圖結構,其中光刻套刻圖形垂直放置在所述邊緣劃片槽和內部劃片槽的交叉區域,且所述光刻套刻圖形的下邊緊靠所述邊緣劃片槽的下邊。
本實用新型的光刻套刻圖形的版圖結構,通過將光刻套刻標記分別放置于邊緣劃片槽與中間劃片槽交叉的位置上,解決了上述問題,實現了縮小劃片槽的Frame設計,適應芯片面積的縮小應用。
附圖說明
下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明:
圖1為光刻套刻圖形的示意圖;
圖2為原有的光刻套刻標記放置示意圖;
圖3為本實用新型的光刻套刻標記版圖示意圖。
具體實施方式
在半導體制造工藝中光刻套刻圖形的版圖結構,為將光刻套刻圖形垂直設置在邊緣劃片槽和內部劃片槽的交叉區域,且光刻套刻圖形的下邊緊靠邊緣劃片槽的下方。上述光刻套刻圖形包括標識光刻套刻層次的圖形區域和光刻套刻標記區域(見圖3),例如圖3中的“A”至“D”表示光刻套刻層次。
在具體實施中,光刻套刻圖形的最小有效圖形為40μm×40μm,而劃片槽的寬度為50μm或60um,邊緣劃片槽的寬度為25μm或30um。
本實用新型的版圖結構,可在軟件中自動生成。在劃片槽結構和自動放置標記單元的結構設計中的規則文件里,在標記種類的放置優先順序中,將光刻套刻圖形的優先級別調至最高,同時將光刻套刻圖形之間的放置距離設?置一較大數值(可為一個芯片加一個內部劃片槽的距離),并且光刻套刻圖形的放置方式設置成內部的,從而實現每一種光刻套刻圖形在運行了制定(Frame)執行命令后能自動放置于四周邊緣劃片槽與內部劃片槽交叉的區域內。
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