[實用新型]半導體制造中光刻套刻圖形的版圖結構無效
| 申請號： | 201020629793.0 | 申請日： | 2010-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN201955619U | 公開（公告）日： | 2011-08-31 |
| 發明（設計）人： | 周京英;張喆;陸佳琳;孫長江 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F1/14;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 制造 光刻 圖形 版圖 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體制造中光刻套刻圖形的版圖結構，其特征在于：光刻套刻圖形垂直放置在所述邊緣劃片槽和內部劃片槽的交叉區域，且所述光刻套刻圖形的下方緊靠所述邊緣劃片槽的下方。
2.按照權利要求1所述的版圖結構，其特征在于：所述光刻套刻圖形包括標識光刻套刻層次的圖形區域和光刻套刻標記區域。
3.按照權利要求1或2所述的版圖結構，其特征在于：所述光刻套刻圖形的最小有效圖形為40μm×40μm，所述劃片槽的寬度為50μm或60um。?
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