[實用新型]改良式硅芯片承載裝置

無效

• 申請號: 201020624458.1
• 申請日: 2010-11-23
• 公開（公告）號: CN201868407U
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 楊新興;張育升;張顥騫;葉耿偉;陳威有;林俊良
• 申請（專利權）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 郭鴻禧;張軍

技術領域

本實用新型涉及一種硅芯片承載裝置，特別是涉及這樣一種改良式硅芯片承載裝置，該承載裝置中的承載板體具有鉆孔，可使供氣單元提供的氣流通過，以破除硅芯片與承載板體之間的真空吸附狀態。

背景技術

在太陽能產業中，硅芯片的傳送過程在產能的提升或產品合格率及缺陷上均扮演著舉足輕重的角色。換言之，承載硅芯片的承載板體與吸取硅芯片的吸盤之間的配合必須效率化及最佳化。然而，公知的柏努力吸盤在吸取承載板體上的硅芯片常需耗時10至15秒。如此一來，不僅對產能有很大的影響，更容易因該公知的承載板體具有定位孔的設計，而使得硅芯片嚴重回鍍(back-plating)。有鑒于此，本申請的發明人提出了一種改良式硅芯片承載裝置，以改善上述問題。

實用新型內容

針對公知技術的問題，本實用新型的目的就是提供一種改良式硅芯片承載裝置，在該承載裝置中，承載板體具有至少一個鉆孔以及至少一個導槽，并通過供氣單元提供氣流以通過鉆孔，從而破除硅芯片與承載板體之間的真空吸附狀態。

參照本實用新型的目的，提出一種改良式硅芯片承載裝置，其包括承載板體及供氣單元。具體地說，承載板體具有至少一個鉆孔，而承載板體與被承載的硅芯片呈真空吸附狀態。供氣單元設置在承載板體的周圍，并提供氣流以通過上述鉆孔，從而破除承載板體與硅芯片之間的真空吸附狀態。

具體地說，鉆孔的數量及形式并不具有局限性，不論是以直鉆或是任何形式斜鉆的方式都可以，該斜角在0至90度的范圍內，且承載板體由石墨和碳纖聚合材料所組成的復材板制成。再者，供氣單元設置的位置可調整，只要供氣單元所提供的氣流可順利地通過承載板體的鉆孔即可。同樣，供氣單元的氣流的大小及方向與鉆孔配合，從而可調整。最后，承載板體與硅芯片之間的真空吸附力被解除后，可利用吸附單元來快速吸取硅芯片。

通過上述說明，根據本實用新型的改良式硅芯片承載裝置可具有下述優點：

(1)依據本實用新型的改良式硅芯片承載裝置，當承載板體與硅芯片之間的真空吸附狀態被破除時，吸附單元可快速吸取硅芯片。所謂快速吸取對本實用新型而言，被定義為約0.2秒。

(2)依據本實用新型的改良式硅芯片承載裝置，承載板體并未設有定位孔，因而可改善硅芯片嚴重回鍍的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體的示意圖。

圖2為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的示意圖。

圖3為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的供氣單元及吸附單元的示意圖。

主要組件符號說明：

100：承載板體；

110：鉆孔；

120：導槽；

200：硅芯片；

300：供氣單元；

310：氣流；

400：吸附單元。

具體實施方式

根據本實用新型的技術特征，以下將參照相關附圖圖說明根據本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的實施例，為便于理解，下述實施例中的相同組件以相同的符號標示來說明。

首先，請參閱圖1，該圖為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體的示意圖。如圖1所示，本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體100具有至少一個鉆孔110及至少一個導槽120，所述鉆孔110的斜角在0至90度的范圍內，所述斜角是鉆孔110與承載板體100的平面法線的夾角。換言之，本實用新型的承載板體100上的鉆孔110可以只有一個，當然也可以布滿整個承載板體100，且鉆孔110不論采用直鉆或任何形式斜鉆的方式，皆為本實用新型所欲主張的技術范圍的樣態。

因此，在圖1中舉例示出承載板體100具有4個鉆孔110及4個導槽120的例子，且鉆孔110及導槽120有共同的幾何中心，鉆孔110及導槽120都由該幾何中心往外呈放射狀排列。其中，導槽120的功能在于將從外部所導入的氣流均勻化且可用于釋放多余的氣流，以使承載板體100內分布的氣流平穩。當然，無論是鉆孔110或導槽120的數量或排列的位置都僅為舉例，并不具限制性。值得注意的是，本實用新型的承載板體100由石墨和碳纖聚合材料所組成的復材板制成，且承載板體100并未設有定位孔。