[實用新型]改良式硅芯片承載裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020624458.1 | 申請日： | 2010-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN201868407U | 公開（公告）日： | 2011-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊新興;張育升;張顥騫;葉耿偉;陳威有;林俊良 | 申請（專利權(quán)）人： | 茂迪股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鴻禧;張軍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改良 芯片 承載 裝置 | ||
1.一種改良式硅芯片承載裝置，其特征在于該裝置包括：
承載板體，具有至少一個鉆孔；以及
供氣單元，設(shè)置于所述承載板體的周圍，該供氣單元提供氣流，該氣流通過所述至少一個鉆孔，以破除所述承載板體與被承載的硅芯片之間所呈現(xiàn)的真空吸附狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于該裝置還包括吸附單元，當(dāng)所述承載板體與所述硅芯片之間的真空吸附狀態(tài)被破除時，該吸附單元用于吸取所述硅芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述供氣單元被設(shè)置于所述承載板體的下方。
4.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于設(shè)置所述供氣單元的位置能夠被調(diào)整。
5.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述供氣單元的氣流的方向與所述至少一個鉆孔配合。
6.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述承載板體由石墨和碳纖聚合材料所組成的復(fù)材板制成。
7.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述承載板體還具有至少一個導(dǎo)槽。
8.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述至少一個鉆孔的斜角在0至90度的范圍內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
