[實用新型]一種超高方阻金屬化薄膜

無效

• 申請號: 201020583747.1
• 申請日: 2010-10-30
• 公開（公告）號: CN201829351U
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 束長青;章曉紅;周慧寧;石兆峰
• 申請（專利權）人: 安徽銅峰電子股份有限公司
• 主分類號: H01G4/015
• 分類號: H01G4/015
• 代理公司: 合肥誠興知識產權代理有限公司 34109
• 代理人: 湯茂盛

技術領域

本實用新型涉及一種電容器用金屬化薄膜，具體地說是一種超高方阻金屬化薄膜。

背景技術

金屬化薄膜是電容器的重要材料。目前市場生產的金屬化薄膜種類很多，特別是鋁鋅邊緣加厚金屬化薄膜，它的鍍層結構主要是由鋁鋅鍍層構成的中間加厚區和及位于兩側的活動區。加厚區方阻一般為2~4Ω/□，活動區金屬鍍層厚度一致，方阻相同，一般為5~10Ω/□。這種薄膜由于其活動區方阻均勻且金屬層厚方阻大，金屬層所需自愈能量較大，自愈困難,抗電強度下降，從而易發生擊穿，電容器廠家往往增加介質（光膜）厚度來增加抗電強度,因此，加大了生產成本。而專利文獻CN1753114A公開的漸變方阻金屬化薄膜，雖然其活動區即方阻漸變區的金屬鍍層由中間向兩側遞減，使得方阻逐漸增大，抗電強度有所提高，但是方阻大的區域的鋅極易氧化，所以鍍層無法鍍的太薄，因此，這種結構的金屬化薄膜也難以提高其抗電強度。

發明內容

本實用新型的目的是針對現有技術中存在的不足之處，提供一種超高方阻金屬化薄膜，具有高耐壓、自愈性好，成本低的特點，可以用于生產體積小高額定電壓的電容器。

為實現上述目的，本實用新型采用了以下技術方案：包括聚合物基膜，和在該基膜上通過汽相沉淀法形成的由Al和/或Zn構成金屬鍍層，所述金屬鍍層區域在基膜寬度方向上包括中間加厚區以及位于中間加厚區兩側的方阻漸變區；兩側基膜留邊區與方阻漸變區之間設有金屬鍍層厚度一致且方阻大于方阻漸變區的超高方阻區。

本實用新型的一個優選方案是：超高方阻區的金屬鍍層由金屬Al構成，超高方阻區的方阻為45~55Ω/□。

由上述技術方案可知，本實用新型的優點在于：超高方阻區鍍層采用Al，鍍層厚度較薄,?自愈性好，顯著提高了抗電強度和自愈能力，可以降低基膜的厚度，不僅可以縮小電容器的體積，還可以降低生產成本。并且超高方阻區鍍層不易氧化，容易儲存，可以用于生產體積小額定電壓高的電容器。

附圖說明

圖1是本實用新型結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示為本實用新型在寬度方向上的結構?；?可以是聚丙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯等聚合物，厚度一般在0.5μm~20μm。由Al和/或Zn構成的金屬鍍層通過汽相淀積法形成，先鍍Al層2，再在Al層2上蒸鍍Zn層3形成。金屬鍍層自中間至兩側留邊區d依次是中間加厚區a、方阻漸變區b和超高方阻區c。其中，中間加厚區a和方阻漸變區b由Al層2和鍍Zn層3復合而成，超高方阻區c為鍍Al層3，鍍Al層3的厚度薄，使得超高方阻區c的方阻在45~55Ω/□范圍內。

以規格為4μm×100mm×2.5mm的上述超高方阻金屬化薄膜（“4μm”表示金屬化薄膜的厚度，100mm表示金屬化薄膜的寬度，2.5mm表示留邊區d的寬度）為例：加厚區a寬度為5mm，該鋁鋅加厚金屬層的方阻值為2~10Ω/□；方阻漸變區b寬度為35mm，Zn層3的厚度呈線性遞減，方阻值從10Ω/□線性漸變至20Ω/□；超高方阻區c的寬度為55?mm，該區域的方阻值為45~55Ω/□。用4μm×100mm×2.5mm超高金屬化膜做成的電容器的抗電強度與6μm×100mm×2.5mm普通金屬化膜做成的電容器的抗電強度一致,?縮小電容器的體積，降低了生產成本。