[實用新型]一種超高方阻金屬化薄膜無效
| 申請號： | 201020583747.1 | 申請日： | 2010-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN201829351U | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 束長青;章曉紅;周慧寧;石兆峰 | 申請（專利權）人： | 安徽銅峰電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/015 | 分類號： | H01G4/015 |
| 代理公司： | 合肥誠興知識產權代理有限公司 34109 | 代理人： | 湯茂盛 |
| 地址： | 244000 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超高 金屬化 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種超高方阻金屬化薄膜，包括聚合物基膜(1)，和在該基膜(1)上通過汽相沉淀法形成的由Al和/或Zn構成金屬鍍層，所述金屬鍍層區域在基膜寬度方向上包括中間加厚區(a)以及位于中間加厚區(a)兩側的方阻漸變區(b)；其特征在于：基膜留邊區(d)與方阻漸變區(b)之間設有金屬鍍層厚度一致且方阻大于方阻漸變區(b)的超高方阻區(c)。
2.根據權利要求1所述的超高方阻金屬化薄膜，其特征在于：超高方阻區(c)的金屬鍍層由金屬Al構成，超高方阻區(c)的方阻為45~55Ω/□。
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